δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究

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δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究

沈文忠 , 唐文国 , 沈学础 , A.Dimoulas

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δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究

沈文忠, 唐文国, 沈学础, A.Dimoulas

物理学报, 1995, 44(5): 779-787.

doi: 10.7498/aps.44.779

Shen Wen-Zhong, Tang Wen-Guo, Shen Xue-Chu, A.Dimoulas

Acta Phys. Sin., 1995, 44(5): 779-787.

doi: 10.7498/aps.44.779

摘要

报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al(?)Ga(?)As/In(?)Ga(?),As/GaAs的综合光谱研究结果。采用光致发光光谱,平面光电流谱和光致发光激发光谱方法,并与理论计算相对比,确认了光致发光谱上n=1电子子带n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,对弱峰C的研究表明它是n=1电子子带到n=1轻空穴子带复合跃迁的发光峰。由于费密能级高于第二电子子带,没有发现文献中曾报道过的属于费密边的发光峰;平面光电流谱和光致发光激发光谱观察到n=1重空穴子带到n=1,2,3电子子带的三个激子跃迁峰。
Abstract
作者及机构信息
沈文忠²,

唐文国²,

沈学础²,

A.Dimoulas¹

(1)Foundation,forResearchandTechnology-Hellas,P.O.Box1527,Heraklion71ll0,Crete,Greece; (2)中国科学院红外物理国家重点实验室,上海200083
Authors and contacts
Shen Wen-Zhong²,

Tang Wen-Guo²,

Shen Xue-Chu²,

A.Dimoulas¹

(1)Foundation,forResearchandTechnology-Hellas,P.O.Box1527,Heraklion71ll0,Crete,Greece; (2)中国科学院红外物理国家重点实验室,上海200083
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第44卷，第5期 - 1995年03月05日

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