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SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压

汤晓燕 张义门 张玉明

SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压

汤晓燕, 张义门, 张玉明
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-05-05
  • 修回日期:  2008-07-14
  • 刊出日期:  2009-01-20

SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压

  • 1. 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60476007)和国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2002CB311904)资助的课题.

摘要: SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压不同于传统的MOSFET的阈值电压.在深入分析工作机理的基础上,利用二维模拟软件ISE提取并分析了器件的阈值电压.对SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压给出物理描述,得出当源极载流子主要以场发射方式进入沟道,同时沟道进入强反型状态,此时的栅电压是该器件的阈值电压.

English Abstract

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