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强超短脉冲抽运下半导体光放大器中的非线性过程

刘茂桐 杨爱英 孙雨南

强超短脉冲抽运下半导体光放大器中的非线性过程

刘茂桐, 杨爱英, 孙雨南
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-04-05
  • 修回日期:  2008-08-21
  • 刊出日期:  2009-01-05

强超短脉冲抽运下半导体光放大器中的非线性过程

  • 1. 北京理工大学信息科学技术学院光电工程系,北京 100081
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60777024)和教育部光通信和光波技术重点实验室(北京邮电大学)开放基金资助的课题.

摘要: 建立了包含载流子浓度脉动(CDP)、自由载流子吸收(FCA)、受激辐射(SE)、双光子吸收(TPA)、光谱烧孔(SHB)和超快非线性折射(UNR)过程的半导体光放大器(SOA)理论模型,通过与已报道的实验结果的比较对模型进行了验证,实现了对已有 SOA模型的修正,并对UNR,FCA和TPA效应对强超短光脉冲传输特性的影响进行了分析.当脉宽为几个皮秒的强光脉冲注入工作于透明电流下的SOA时,其强度特性主要受FCA和TPA效应的影响.由于加入了FCA效应,使模型对200fs脉冲强度传输特性的仿真结果与实验结果

English Abstract

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