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Si(111)面上氮原子薄膜的电子态密度第一性原理计算及分析

吕泉 黄伟其 王晓允 孟祥翔

Si(111)面上氮原子薄膜的电子态密度第一性原理计算及分析

吕泉, 黄伟其, 王晓允, 孟祥翔
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  • 由于氮原子在Si(1 1 1)表面成键的失配度最小,因此考虑Si(1 1 1)取向上用不同百分比的氮原子钝化硅表面悬挂键.由第一性原理计算结果显示,当Si(1 1 1)表面层中的氮原子含量为75%—100%时,带隙展宽并且有局域陷阱态产生. 我们提出相应的局域电子态模型,从而解释了Si基氮膜光致荧光(PL)发光增强实验的物理机理.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10764002,60966002)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-03-12
  • 修回日期:  2010-04-12
  • 刊出日期:  2010-11-15

Si(111)面上氮原子薄膜的电子态密度第一性原理计算及分析

  • 1. 贵州大学纳米光子物理研究所,贵阳 550025
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10764002,60966002)资助的课题.

摘要: 由于氮原子在Si(1 1 1)表面成键的失配度最小,因此考虑Si(1 1 1)取向上用不同百分比的氮原子钝化硅表面悬挂键.由第一性原理计算结果显示,当Si(1 1 1)表面层中的氮原子含量为75%—100%时,带隙展宽并且有局域陷阱态产生. 我们提出相应的局域电子态模型,从而解释了Si基氮膜光致荧光(PL)发光增强实验的物理机理.

English Abstract

参考文献 (16)

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