搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

遮蔽效应对抛射沉积模型标度性质的影响

郝大鹏 唐刚 夏辉 韩奎 寻之朋

遮蔽效应对抛射沉积模型标度性质的影响

郝大鹏, 唐刚, 夏辉, 韩奎, 寻之朋
PDF
导出引用
  • 在表面粗糙化生长过程中粒子非垂直入射产生的遮蔽效应是一种长程相互作用, 实验发现非垂直入射时生长表面形貌和生长性质都受到遮蔽效应的影响. 本文通过模拟倾斜入射的抛射沉积模型得到了其标度指数、 表面统计的偏度和峰度以及生长体的多孔性与入射角度的关系, 模拟结果显示标度指数与入射角度的关系是非单调的, 而偏度和峰度的有限尺寸效应也取决于入射角度的大小. 同时本文对以上模拟结果进行了定性的分析.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10674177), 中国矿业大学校青年基金(批准号: 2008A035)和中央高校 基本科研业务费专项资金(批准号: 2010LKWL04-CUMT)资助的课题.
    [1]

    Meakin P 1998 Fractal, Scaling and Growth far from Equilibrium (Cambridge: Cambridge University Press)

    [2]

    Barabasi A L, Stanley H E 1995 Fractal Concepts in Surface Growth (Cambridge: Cambridge University Press)

    [3]

    Family F, Vicsek T 1991 Dynamics of Fractal Surfaces(Singapore: World Scientific Press)

    [4]

    Family F, Vicsek T 1985 J. Phys. A 18 L75

    [5]

    Edwards S F,Wilkinson D R 1982 Proc. R. Soc. London A 381 17

    [6]

    Kardar M, Parisi G, Zhang Y C 1986 Phys. Rev. Lett. 56 889

    [7]

    L′opez J M, Rodriguez M A, Cuerno R 1997 Phys. Rev. E 56 3993

    [8]

    L′opez J M, Rodriguez M A, Cuerno R 1997 Physica A 246 329

    [9]

    Pang N N, Tzeng W J 2004 Phys. Rev. E 70 036115

    [10]

    Chin C S, Nijs M D 1999 Phys. Rev. E 59 2633

    [11]

    Aar?ao Reis F D A 2004 Phys. Rev. E 70 031607

    [12]

    Hao D P, Tang G, Xia H, Han K, Xun Z P 2011 Acta Phys. Sin. 60 038102 (in Chinese) [郝大鹏, 唐刚, 夏辉, 韩奎, 寻之朋 2011 物理学报 60 038102]

    [13]

    Katzav E, Edwards S F, Schwartz M 2006 Europhys. Lett. 75 29

    [14]

    Yu J, Amar J G 2002 Phys. Rev. E 65 060601

    [15]

    Silveira F A, Aar?ao Reis F D A 2007 Phys. Rev. E 75 061608

    [16]

    Shim Y, Borovikov V, Amar J G 2008 Phys. Rev. B 77 235423

    [17]

    Forgerini F L, Figueiredo W 2009 Phys. Rev. E 79 041602

    [18]

    Yu J G, Amar J G 2002 Phys. Rev. E 66 021603

    [19]

    Datta D P, Chini T K 2007 Phys. Rev. B 76 075323

    [20]

    Kim J, Dohnalek Z, Kay B D 2005 Surface Science 586 137

    [21]

    Asgharizadeh S, Sutton M 2009 Phys. Rev. B 79 125405

    [22]

    Dolatshahi-Pirouz A, Hovgaard M B, Rechendorff K, Chevallier J, Foss M, Besenbacher F 2008 Phys. Rev. B 77 115427

    [23]

    Rabbering FW, Stoian G, Gastel R V,Wormeester H, Poelsema B 2010 Phys. Rev. B 81 115425

    [24]

    Shim Y, Amar J G 2007 Phys. Rev. Lett. 98 046103

    [25]

    Shim Y, Mills M E, Borovikov V, Amar J G 2009 Phys. Rev. E 79 051604

    [26]

    Hu B, Tang G 2002 Phys. Rev. E 66 026105

    [27]

    Tang G, Ma B K 2002 Acta Phys. Sin. 51 994(in Chinese) [唐刚, 马本堃 2002 物理学报 51 994]

    [28]

    Tang G, Ma B K 2001 Acta Phys. Sin. 50 851 (in Chinese) [唐刚, 马本堃 2001 物理学报 50 851]

    [29]

    Hao D P, Tang G, Xia H, Chen H, Zhang L M, Xun Z P 2007 Acta Phys. Sin. 56 2018 (in Chinese) [郝大鹏, 唐刚, 夏辉, 陈华, 张雷明, 寻之朋 2007 物理学报 56 2018]

    [30]

    Pelliccione M, Lu T M 2008 Evolution of Thin Film Morphology (London: Springer-Verlag)

    [31]

    Aar?ao Reis F D A 2001 Phys. Rev. E 63 056116

    [32]

    Ramasco J J, L′opez J M, Rodr′?guez M A 2000 Phys. Rev. Lett. 84 2199

    [33]

    L′opez J M, Castro M, Gallego R 2005 Phys. Rev. Lett. 94 166103

    [34]

    Asgharizadeh S, Sutton M, Robbie K, Brown T 2009 Phys. Rev. B 79 125405

  • [1]

    Meakin P 1998 Fractal, Scaling and Growth far from Equilibrium (Cambridge: Cambridge University Press)

    [2]

    Barabasi A L, Stanley H E 1995 Fractal Concepts in Surface Growth (Cambridge: Cambridge University Press)

    [3]

    Family F, Vicsek T 1991 Dynamics of Fractal Surfaces(Singapore: World Scientific Press)

    [4]

    Family F, Vicsek T 1985 J. Phys. A 18 L75

    [5]

    Edwards S F,Wilkinson D R 1982 Proc. R. Soc. London A 381 17

    [6]

    Kardar M, Parisi G, Zhang Y C 1986 Phys. Rev. Lett. 56 889

    [7]

    L′opez J M, Rodriguez M A, Cuerno R 1997 Phys. Rev. E 56 3993

    [8]

    L′opez J M, Rodriguez M A, Cuerno R 1997 Physica A 246 329

    [9]

    Pang N N, Tzeng W J 2004 Phys. Rev. E 70 036115

    [10]

    Chin C S, Nijs M D 1999 Phys. Rev. E 59 2633

    [11]

    Aar?ao Reis F D A 2004 Phys. Rev. E 70 031607

    [12]

    Hao D P, Tang G, Xia H, Han K, Xun Z P 2011 Acta Phys. Sin. 60 038102 (in Chinese) [郝大鹏, 唐刚, 夏辉, 韩奎, 寻之朋 2011 物理学报 60 038102]

    [13]

    Katzav E, Edwards S F, Schwartz M 2006 Europhys. Lett. 75 29

    [14]

    Yu J, Amar J G 2002 Phys. Rev. E 65 060601

    [15]

    Silveira F A, Aar?ao Reis F D A 2007 Phys. Rev. E 75 061608

    [16]

    Shim Y, Borovikov V, Amar J G 2008 Phys. Rev. B 77 235423

    [17]

    Forgerini F L, Figueiredo W 2009 Phys. Rev. E 79 041602

    [18]

    Yu J G, Amar J G 2002 Phys. Rev. E 66 021603

    [19]

    Datta D P, Chini T K 2007 Phys. Rev. B 76 075323

    [20]

    Kim J, Dohnalek Z, Kay B D 2005 Surface Science 586 137

    [21]

    Asgharizadeh S, Sutton M 2009 Phys. Rev. B 79 125405

    [22]

    Dolatshahi-Pirouz A, Hovgaard M B, Rechendorff K, Chevallier J, Foss M, Besenbacher F 2008 Phys. Rev. B 77 115427

    [23]

    Rabbering FW, Stoian G, Gastel R V,Wormeester H, Poelsema B 2010 Phys. Rev. B 81 115425

    [24]

    Shim Y, Amar J G 2007 Phys. Rev. Lett. 98 046103

    [25]

    Shim Y, Mills M E, Borovikov V, Amar J G 2009 Phys. Rev. E 79 051604

    [26]

    Hu B, Tang G 2002 Phys. Rev. E 66 026105

    [27]

    Tang G, Ma B K 2002 Acta Phys. Sin. 51 994(in Chinese) [唐刚, 马本堃 2002 物理学报 51 994]

    [28]

    Tang G, Ma B K 2001 Acta Phys. Sin. 50 851 (in Chinese) [唐刚, 马本堃 2001 物理学报 50 851]

    [29]

    Hao D P, Tang G, Xia H, Chen H, Zhang L M, Xun Z P 2007 Acta Phys. Sin. 56 2018 (in Chinese) [郝大鹏, 唐刚, 夏辉, 陈华, 张雷明, 寻之朋 2007 物理学报 56 2018]

    [30]

    Pelliccione M, Lu T M 2008 Evolution of Thin Film Morphology (London: Springer-Verlag)

    [31]

    Aar?ao Reis F D A 2001 Phys. Rev. E 63 056116

    [32]

    Ramasco J J, L′opez J M, Rodr′?guez M A 2000 Phys. Rev. Lett. 84 2199

    [33]

    L′opez J M, Castro M, Gallego R 2005 Phys. Rev. Lett. 94 166103

    [34]

    Asgharizadeh S, Sutton M, Robbie K, Brown T 2009 Phys. Rev. B 79 125405

  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  2527
  • PDF下载量:  553
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2011-03-18
  • 修回日期:  2011-04-26
  • 刊出日期:  2012-01-05

遮蔽效应对抛射沉积模型标度性质的影响

  • 1. 中国矿业大学物理系, 徐州 221116
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10674177), 中国矿业大学校青年基金(批准号: 2008A035)和中央高校 基本科研业务费专项资金(批准号: 2010LKWL04-CUMT)资助的课题.

摘要: 在表面粗糙化生长过程中粒子非垂直入射产生的遮蔽效应是一种长程相互作用, 实验发现非垂直入射时生长表面形貌和生长性质都受到遮蔽效应的影响. 本文通过模拟倾斜入射的抛射沉积模型得到了其标度指数、 表面统计的偏度和峰度以及生长体的多孔性与入射角度的关系, 模拟结果显示标度指数与入射角度的关系是非单调的, 而偏度和峰度的有限尺寸效应也取决于入射角度的大小. 同时本文对以上模拟结果进行了定性的分析.

English Abstract

参考文献 (34)

目录

    /

    返回文章
    返回