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(α, β , γ)-Nb5Si3电子结构和光学性质研究

段永华 孙勇

(α, β , γ)-Nb5Si3电子结构和光学性质研究

段永华, 孙勇
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  • 基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法, 采用局域密度近似, 计算了不同结构的α-Nb5Si3, β-Nb5Si3和γ-Nb5Si3的电子结构、态密度以及光学性质. 计算结果表明, Nb5Si3费米能级附近价带主要是由Nb的4d轨道及Si的3s和3p轨道贡献, 导带主要由Nb的4d轨道贡献; Nb5Si3的光学性质具有各向异性的特征, 其零频介电常数ε1(0)=207, 折射率n0=13; 在15 eV以上的高能区表现为无色透明.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-02-29
  • 修回日期:  2012-05-10
  • 刊出日期:  2012-11-05

(α, β , γ)-Nb5Si3电子结构和光学性质研究

  • 1. 昆明理工大学材料科学与工程学院, 昆明 650093;
  • 2. 昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室, 昆明 650093

摘要: 基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法, 采用局域密度近似, 计算了不同结构的α-Nb5Si3, β-Nb5Si3和γ-Nb5Si3的电子结构、态密度以及光学性质. 计算结果表明, Nb5Si3费米能级附近价带主要是由Nb的4d轨道及Si的3s和3p轨道贡献, 导带主要由Nb的4d轨道贡献; Nb5Si3的光学性质具有各向异性的特征, 其零频介电常数ε1(0)=207, 折射率n0=13; 在15 eV以上的高能区表现为无色透明.

English Abstract

参考文献 (30)

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