搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

单层硅Si6H4Ph2的稳定性和电子结构密度泛函研究

宋健 李锋 邓开明 肖传云 阚二军 陆瑞锋 吴海平

单层硅Si6H4Ph2的稳定性和电子结构密度泛函研究

宋健, 李锋, 邓开明, 肖传云, 阚二军, 陆瑞锋, 吴海平
PDF
导出引用
导出核心图
  • 采用密度泛函计算方法, 研究了二维单层硅Si6H4Ph2的稳定性及其电子结构. 通过对纯硅纳米片Si6、加氢钝化的硅纳米片Si6H6以及添加苯基钝化的硅纳米片Si6H4Ph2对比研究, 揭示了Si6H4Ph2的稳定性机理. 通过电子结构研究, 发现Si6H4Ph2与Si6H6类似, 显示间接带隙半导体性质.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10974096, 11004107)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号: 20103219110032, 20113219110032)资助的课题.
    [1]

    Novoselov K S, Geim A K, Morozov S V, Jiang D, Zhang Y, Dubonos S V, Grigorieva I V, Firsov A A 2004 Science 306 666

    [2]

    Novoselov K S, Geim A K, Morozov S V, Jiang D, Katsnelson M I, Grigorieva I V, Dubonos S V, Firsov A A 2006 Nature 438 197

    [3]

    Morishita T, Russo S P, Sook I K, Spencer M J S, Nishio K, Mikami M 2010 Phys. Rev. B 82 045419

    [4]

    Nakano H, Mitsuoka T, Harada M, Horibuchi K, Nozaki H, Takahashi N, Nonaka T, Seno Y, Nakamura H 2006 Angew. Chem. 45 6303

    [5]

    Yusuke S, Hirotaka O, Takuya M, Takeshi M, Koji N, Toshiaki O, Hideyuki N 2011 J. Am. Chem. Soc. 132 5946

    [6]

    Kresse G, Furthmuller J 1996 Comput. Mater. Sci. 6 15

    [7]

    Kresse G, Furthmuller J 1996 Phys. Rev. B 54 11169

    [8]

    Wu H P, Chen D G, Huang D C, Deng K M 2012 Acta Phys. Sin. 61 037101 (in Chinese) [吴海平, 陈栋国, 黄德财, 邓开明 2012 物理学报 61 037101]

    [9]

    Blochl P E 1994 Phys. Rev. B 50 17953

    [10]

    Kresse G, Joubert D 1999 Phys. Rev. B 59 1758

    [11]

    Perdew J P, Burke K, Ernzerhof M 1996 Phys. Rev. Lett. 77 3865

    [12]

    Cahangirov S, Topsakal M, Akturk E, Sahin H, Ciraci S 2009 Phys. Rev. Lett. 102 236804

    [13]

    Dahn J R, Way B M, Fuller E 1993 Phys. Rev. B 48 17872

  • [1]

    Novoselov K S, Geim A K, Morozov S V, Jiang D, Zhang Y, Dubonos S V, Grigorieva I V, Firsov A A 2004 Science 306 666

    [2]

    Novoselov K S, Geim A K, Morozov S V, Jiang D, Katsnelson M I, Grigorieva I V, Dubonos S V, Firsov A A 2006 Nature 438 197

    [3]

    Morishita T, Russo S P, Sook I K, Spencer M J S, Nishio K, Mikami M 2010 Phys. Rev. B 82 045419

    [4]

    Nakano H, Mitsuoka T, Harada M, Horibuchi K, Nozaki H, Takahashi N, Nonaka T, Seno Y, Nakamura H 2006 Angew. Chem. 45 6303

    [5]

    Yusuke S, Hirotaka O, Takuya M, Takeshi M, Koji N, Toshiaki O, Hideyuki N 2011 J. Am. Chem. Soc. 132 5946

    [6]

    Kresse G, Furthmuller J 1996 Comput. Mater. Sci. 6 15

    [7]

    Kresse G, Furthmuller J 1996 Phys. Rev. B 54 11169

    [8]

    Wu H P, Chen D G, Huang D C, Deng K M 2012 Acta Phys. Sin. 61 037101 (in Chinese) [吴海平, 陈栋国, 黄德财, 邓开明 2012 物理学报 61 037101]

    [9]

    Blochl P E 1994 Phys. Rev. B 50 17953

    [10]

    Kresse G, Joubert D 1999 Phys. Rev. B 59 1758

    [11]

    Perdew J P, Burke K, Ernzerhof M 1996 Phys. Rev. Lett. 77 3865

    [12]

    Cahangirov S, Topsakal M, Akturk E, Sahin H, Ciraci S 2009 Phys. Rev. Lett. 102 236804

    [13]

    Dahn J R, Way B M, Fuller E 1993 Phys. Rev. B 48 17872

  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  4127
  • PDF下载量:  742
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2012-04-06
  • 修回日期:  2012-07-15
  • 刊出日期:  2012-12-05

单层硅Si6H4Ph2的稳定性和电子结构密度泛函研究

  • 1. 南京理工大学理学院应用物理系, 南京 210094
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10974096, 11004107)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号: 20103219110032, 20113219110032)资助的课题.

摘要: 采用密度泛函计算方法, 研究了二维单层硅Si6H4Ph2的稳定性及其电子结构. 通过对纯硅纳米片Si6、加氢钝化的硅纳米片Si6H6以及添加苯基钝化的硅纳米片Si6H4Ph2对比研究, 揭示了Si6H4Ph2的稳定性机理. 通过电子结构研究, 发现Si6H4Ph2与Si6H6类似, 显示间接带隙半导体性质.

English Abstract

参考文献 (13)

目录

    /

    返回文章
    返回