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单层硅Si6H4Ph2的稳定性和电子结构密度泛函研究

宋健 李锋 邓开明 肖传云 阚二军 陆瑞锋 吴海平

单层硅Si6H4Ph2的稳定性和电子结构密度泛函研究

宋健, 李锋, 邓开明, 肖传云, 阚二军, 陆瑞锋, 吴海平
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-04-06
  • 修回日期:  2012-07-15
  • 刊出日期:  2012-12-05

单层硅Si6H4Ph2的稳定性和电子结构密度泛函研究

  • 1. 南京理工大学理学院应用物理系, 南京 210094
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10974096, 11004107)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号: 20103219110032, 20113219110032)资助的课题.

摘要: 采用密度泛函计算方法, 研究了二维单层硅Si6H4Ph2的稳定性及其电子结构. 通过对纯硅纳米片Si6、加氢钝化的硅纳米片Si6H6以及添加苯基钝化的硅纳米片Si6H4Ph2对比研究, 揭示了Si6H4Ph2的稳定性机理. 通过电子结构研究, 发现Si6H4Ph2与Si6H6类似, 显示间接带隙半导体性质.

English Abstract

参考文献 (13)

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