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正弦波导高频特性分析

谢文球 王自成 罗积润 刘青伦

正弦波导高频特性分析

谢文球, 王自成, 罗积润, 刘青伦
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  • 对一种全金属慢波系统正弦波导的高频特性进行了理论分析. 在用一系列相连矩形阶梯逼近余弦槽的基础上,对慢波结构进行了合理的区域划分,获得了各区域的场表达式. 考虑槽区的高次驻波项,采用场匹配和导纳匹配相结合的方法,导出色散方程和耦合阻抗表达式. 以应用于220 GHz 行波管的正弦波导为例进行高频特性的数值求解,理论计算值与全三维电磁软件CST-MWS的仿真值符合良好. 在此基础上,详细分析了尺寸参数变化对正弦波导高频特性的影响.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61172016)资助的课题.
    [1]

    Booske J H, Dobbs R J, Joye C D, Kory C L, Neil G R, Park G S, Park J, Temkin R J 2011 IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 1 54

    [2]

    Booske J H 2008 Phys. Plasmas 15 055502

    [3]

    Ives R L 2004 IEEE Trans. Plasma Sci. 32 1277

    [4]

    Liu Q L, Wang Z C, Liu P K 2012 Acta Phys. Sin. 61 124101 (in Chinese) [刘青伦, 王自成, 刘濮鲲 2012 物理学报 61 124101]

    [5]

    He J, Wei Y Y, Gong Y B, Duan Z Y, Wang W X 2010 Acta Phys. Sin. 59 2843 (in Chinese) [何俊, 魏彦玉, 宫玉彬, 段兆云, 王文祥 2010 物理学报 59 2843]

    [6]

    Gao P, Booske J H, Yang Z 2010 IEEE Trans. Electron Dev. 57 1152

    [7]

    Shin Y M, Baig A, Barnett L R, Tsai W C, Luhmann N C 2012 IEEE Trans. Electron Dev. 59 234

    [8]

    Xu X, Wei Y Y, Shen F, Duan Z Y, Gong Y B, Yin H R, Wang W X 2011 IEEE Electron Dev. Lett. 32 1152

    [9]

    Xu X, Wei Y Y, Shen F, Yin H R, Xu J, Gong Y B, Wang W X 2012 Phys. Plasmas 19 013113

    [10]

    Xu X, Wei Y Y, Shen F, Yin H R, Xu J, Gong Y B, Wang W X 2012 Chin. Phys. B 21 068402

    [11]

    Xu X 2012 Ph. D. Dissertation (Chengdu: University of Electronic Science and Technology of China) (in Chinese) [许雄 2012 博士学位论文 (成都: 电子科技大学)]

    [12]

    Liu Q L, Wang Z C, Liu P K 2012 Acta Phys. Sin. 61 244102 (in Chinese) [刘青伦, 王自成, 刘濮鲲 2012 物理学报 61 244102]

    [13]

    Lu Z G, Wei Y Y, Gong Y B, Wu Z M, Wang W X 2007 Acta Phys. Sin. 56 3318 (in Chinese) [路志刚, 魏彦玉, 宫玉彬, 吴周淼, 王文祥 2007 物理学报 56 3318]

    [14]

    Wang W X, Guo F Y, Wei Y Y 1997 IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 45 1689

    [15]

    Wei Y Y, Wang W X, Sun J H 2000 IEEE Microw. Guided Wave Lett. 10 4

    [16]

    Maragos A A, Ioannidis Z C, Tigeli L G 2003 IEEE Trans. Plasma Sci. 31 1075

    [17]

    Liu S G, Li H F, Wang W X, Mo Y L 1985 Introduction of Microwave Electronics (Beijing: National Defence Industry Press) p110 ( in Chinese) [刘盛纲, 李宏福, 王文祥, 莫元龙 1985 微波电子学导论 (北京: 国防工业出版社) 第110页]

    [18]

    Li Q Y, Wang N C, Yi D Y 2008 Numerical Analysis (Beijing: Qinghua University Press) p228 (in Chinese) [李庆扬, 王能超, 易大义 2008 数值分析 (北京: 清华大学出版社) 第228页]

  • [1]

    Booske J H, Dobbs R J, Joye C D, Kory C L, Neil G R, Park G S, Park J, Temkin R J 2011 IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 1 54

    [2]

    Booske J H 2008 Phys. Plasmas 15 055502

    [3]

    Ives R L 2004 IEEE Trans. Plasma Sci. 32 1277

    [4]

    Liu Q L, Wang Z C, Liu P K 2012 Acta Phys. Sin. 61 124101 (in Chinese) [刘青伦, 王自成, 刘濮鲲 2012 物理学报 61 124101]

    [5]

    He J, Wei Y Y, Gong Y B, Duan Z Y, Wang W X 2010 Acta Phys. Sin. 59 2843 (in Chinese) [何俊, 魏彦玉, 宫玉彬, 段兆云, 王文祥 2010 物理学报 59 2843]

    [6]

    Gao P, Booske J H, Yang Z 2010 IEEE Trans. Electron Dev. 57 1152

    [7]

    Shin Y M, Baig A, Barnett L R, Tsai W C, Luhmann N C 2012 IEEE Trans. Electron Dev. 59 234

    [8]

    Xu X, Wei Y Y, Shen F, Duan Z Y, Gong Y B, Yin H R, Wang W X 2011 IEEE Electron Dev. Lett. 32 1152

    [9]

    Xu X, Wei Y Y, Shen F, Yin H R, Xu J, Gong Y B, Wang W X 2012 Phys. Plasmas 19 013113

    [10]

    Xu X, Wei Y Y, Shen F, Yin H R, Xu J, Gong Y B, Wang W X 2012 Chin. Phys. B 21 068402

    [11]

    Xu X 2012 Ph. D. Dissertation (Chengdu: University of Electronic Science and Technology of China) (in Chinese) [许雄 2012 博士学位论文 (成都: 电子科技大学)]

    [12]

    Liu Q L, Wang Z C, Liu P K 2012 Acta Phys. Sin. 61 244102 (in Chinese) [刘青伦, 王自成, 刘濮鲲 2012 物理学报 61 244102]

    [13]

    Lu Z G, Wei Y Y, Gong Y B, Wu Z M, Wang W X 2007 Acta Phys. Sin. 56 3318 (in Chinese) [路志刚, 魏彦玉, 宫玉彬, 吴周淼, 王文祥 2007 物理学报 56 3318]

    [14]

    Wang W X, Guo F Y, Wei Y Y 1997 IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 45 1689

    [15]

    Wei Y Y, Wang W X, Sun J H 2000 IEEE Microw. Guided Wave Lett. 10 4

    [16]

    Maragos A A, Ioannidis Z C, Tigeli L G 2003 IEEE Trans. Plasma Sci. 31 1075

    [17]

    Liu S G, Li H F, Wang W X, Mo Y L 1985 Introduction of Microwave Electronics (Beijing: National Defence Industry Press) p110 ( in Chinese) [刘盛纲, 李宏福, 王文祥, 莫元龙 1985 微波电子学导论 (北京: 国防工业出版社) 第110页]

    [18]

    Li Q Y, Wang N C, Yi D Y 2008 Numerical Analysis (Beijing: Qinghua University Press) p228 (in Chinese) [李庆扬, 王能超, 易大义 2008 数值分析 (北京: 清华大学出版社) 第228页]

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出版历程
  • 收稿日期:  2013-09-13
  • 修回日期:  2013-10-10
  • 刊出日期:  2014-02-05

正弦波导高频特性分析

  • 1. 中国科学院电子学研究所, 北京 100190;
  • 2. 中国科学院大学, 北京 100049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61172016)资助的课题.

摘要: 对一种全金属慢波系统正弦波导的高频特性进行了理论分析. 在用一系列相连矩形阶梯逼近余弦槽的基础上,对慢波结构进行了合理的区域划分,获得了各区域的场表达式. 考虑槽区的高次驻波项,采用场匹配和导纳匹配相结合的方法,导出色散方程和耦合阻抗表达式. 以应用于220 GHz 行波管的正弦波导为例进行高频特性的数值求解,理论计算值与全三维电磁软件CST-MWS的仿真值符合良好. 在此基础上,详细分析了尺寸参数变化对正弦波导高频特性的影响.

English Abstract

参考文献 (18)

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