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H2气氛退火处理对Nb掺杂TiO2薄膜光电性能的影响

张彬 王伟丽 牛巧利 邹贤劭 董军 章勇

H2气氛退火处理对Nb掺杂TiO2薄膜光电性能的影响

张彬, 王伟丽, 牛巧利, 邹贤劭, 董军, 章勇
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  • 采用电子束沉积方法,以钛酸锶(SrTiO3)为衬底制备铌(Nb)掺杂TiO2薄膜并研究后续H2气氛退火处理对其薄膜样品光电性能的影响. 结果发现H2气氛热退火处理能有效改善Nb掺杂TiO2薄膜的导电率,最佳电阻率达到5.46×10-3 Ω·cm,在可见光范围内的透光率为60%–80%. 导电性能的改善与H2气氛退火处理后多晶薄膜的晶粒尺寸变大和大量的氧空位形成及H原子掺杂有关.
    • 基金项目: 广东省科技攻关项目(批准号:2012B010200032)、国家自然科学基金(批准号:U1174001)、广东省自然科学基金(批准号:S2011010003400)、广东省省部产学研项目(批准号:2011A091000033)和广州市珠江科技新星项目(批准号:2012J2200023)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-11-04
  • 修回日期:  2013-11-23
  • 刊出日期:  2014-03-05

H2气氛退火处理对Nb掺杂TiO2薄膜光电性能的影响

  • 1. 华南师范大学, 光电子材料与技术研究所, 广州 510631
    基金项目: 

    广东省科技攻关项目(批准号:2012B010200032)、国家自然科学基金(批准号:U1174001)、广东省自然科学基金(批准号:S2011010003400)、广东省省部产学研项目(批准号:2011A091000033)和广州市珠江科技新星项目(批准号:2012J2200023)资助的课题.

摘要: 采用电子束沉积方法,以钛酸锶(SrTiO3)为衬底制备铌(Nb)掺杂TiO2薄膜并研究后续H2气氛退火处理对其薄膜样品光电性能的影响. 结果发现H2气氛热退火处理能有效改善Nb掺杂TiO2薄膜的导电率,最佳电阻率达到5.46×10-3 Ω·cm,在可见光范围内的透光率为60%–80%. 导电性能的改善与H2气氛退火处理后多晶薄膜的晶粒尺寸变大和大量的氧空位形成及H原子掺杂有关.

English Abstract

参考文献 (22)

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