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Tl掺杂对InI禁带宽度和吸收边带影响的第一性原理研究

徐朝鹏 王永贞 张伟 王倩 吴国庆

Tl掺杂对InI禁带宽度和吸收边带影响的第一性原理研究

徐朝鹏, 王永贞, 张伟, 王倩, 吴国庆
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-01-16
  • 修回日期:  2014-04-03
  • 刊出日期:  2014-07-20

Tl掺杂对InI禁带宽度和吸收边带影响的第一性原理研究

  • 1. 燕山大学信息科学与工程学院, 河北省特种光纤与光纤传感重点实验室, 秦皇岛 066004
    基金项目: 

    河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(批准号:13961103D)、中国电子科技集团公司第四十六研究所创新基金(批准号:CJ20120208)、河北省高层次人才资助项目(批准号:C2013003040)和燕山大学青年教师自主研究计划(批准号:13LGA011)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了未掺杂与不同浓度的Tl 原子取代In原子的In1-xTlxI超胞模型,分别对模型进行了几何优化、能带分布、态密度分布和吸收光谱的计算. 结果表明:Tl 掺杂浓度越小,In1-xTlxI形成能越低,晶体结构越稳定;Tl的掺入使得InI体系导带向高能方向移动,而价带顶位置基本没变,导致禁带宽度变宽,InI吸收光谱出现明显蓝移现象.

English Abstract

参考文献 (24)

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