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激光线宽对单次通过PPMgO:LN晶体倍频效率的影响

张孔 白建东 何军 王军民

激光线宽对单次通过PPMgO:LN晶体倍频效率的影响

张孔, 白建东, 何军, 王军民
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-11-23
  • 修回日期:  2015-12-15
  • 刊出日期:  2016-04-05

激光线宽对单次通过PPMgO:LN晶体倍频效率的影响

  • 1. 量子光学与光量子器件国家重点实验室(山西大学), 山西大学光电研究所, 太原 030006
  • 通信作者: 王军民, wwjjmm@sxu.edu
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61475091, 11274213, 61205215, 61227902)和国家重大科学研究计划(批准号: 2012CB921601)资助的课题.

摘要: 通过单次穿过PPMgO:LN晶体产生了2.06 W的780 nm可调谐的连续倍频光. 采用1560 nm的分布反馈式(DFB)半导体激光器、光栅外腔半导体激光器(ECDL)和分布反馈式掺铒光纤激光器(DFB-EDFL)分别作为掺铒光纤放大器(EDFA)的注入光源, 所用的EDFA具有保持窄线宽的功能, 因此可以忽略它对基波线宽的展宽. 研究了激光线宽对单次通过PPMgO:LN 晶体的倍频效率的影响. 控制三台激光器各自注入EDFA的功率一致, 同时也保持EDFA 的输出功率. 在基波功率为12.42 W 时, 使用DFB半导体激光器注入EDFA时得到了1.36 W的780 nm倍频光输出, 转换效率为11.0%; 使用ECDL作为种子源时得到了1.78 W 的780 nm倍频光输出, 转换效率为14.3%; 使用DFB-EDFL作为种子源时得到了2.06 W的780 nm倍频光输出, 转换效率为16.6%. 测得三台种子激光器的线宽分别为1.2 MHz (DFB), 200 kHz (ECDL)和600 Hz (DFB-EDFL). 线宽越窄, 倍频效率越高, 实验结果与理论分析一致.

English Abstract

参考文献 (12)

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