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投影电子束光刻中电子穿透掩膜的Monte Carlo模拟

肖 沛 张增明 孙 霞 丁泽军

投影电子束光刻中电子穿透掩膜的Monte Carlo模拟

肖 沛, 张增明, 孙 霞, 丁泽军
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-01-23
  • 修回日期:  2006-04-18
  • 刊出日期:  2006-11-20

投影电子束光刻中电子穿透掩膜的Monte Carlo模拟

  • 1. (1)合肥微尺度物质科学国家实验室,中国科学技术大学天文与应用物理系,合肥 230026; (2)合肥微尺度物质科学国家实验室,中国科学技术大学物理系,合肥 230026
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10574121,60306006,90406024),安徽省自然科学基金(批准号:05021015)和安徽省人才开发基金(批准号:2001Z016)资助的课题.

摘要: 利用基于Mott散射截面和介电函数模型的Monte Carlo方法模拟了电子穿透掩膜的能量损失分布,其计算结果与实验结果符合很好. 由此进一步计算了角度限制投影电子束光刻(SCALPEL)掩膜的穿透率和衬度,结果表明:散射体的厚度对衬度的影响较大,衬度随散射体厚度的增加而增强,而支撑体对衬度的影响较小;增大限制孔的孔径角时,透射率相应增大,但衬度会降低;衬度随入射电子的能量增加而减小.

English Abstract

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