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半导体硅熔体的有效(磁)黏度

张 雯 刘彩池 王海云 徐岳生 石义情

半导体硅熔体的有效(磁)黏度

张 雯, 刘彩池, 王海云, 徐岳生, 石义情
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-03-27
  • 修回日期:  2007-11-16
  • 刊出日期:  2008-06-20

半导体硅熔体的有效(磁)黏度

  • 1. 河北工业大学信息功能材料研究所,天津 300130
    基金项目: 

    河北省自然科学基金(批准号:503054),国家自然科学基金(批准号:50372016)和河北工业大学博士启动基金和教育部科学研究重点项目(批准号:205017)资助的课题.

摘要: 用钕铁硼(NdFeB)永磁材料构建"魔环"结构的永磁体,向直拉硅生长的熔体所在空间引入磁场,采用回转振荡法测量不同磁场强度下硅熔体的有效黏度(磁黏度).在温度一定时,测得的磁黏度随着磁场强度的增加而增加,二者呈抛物线关系.熔硅温度升高,磁场影响加剧.1490—1610℃温度区间内,磁黏度有异常变化.当引入磁场强度为0068T时,熔硅有效黏度比原黏度增加2—3个数量级,证明引入磁场是硅单晶大直径生长时,抑制熔硅热对流的有效手段.

English Abstract

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