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半导体超晶格系统中的磁电调控电子自旋输运研究

王如志 宋雪梅 魏金生 严辉 袁瑞玚

半导体超晶格系统中的磁电调控电子自旋输运研究

王如志, 宋雪梅, 魏金生, 严辉, 袁瑞玚
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-06-17
  • 修回日期:  2008-11-17
  • 刊出日期:  2009-05-20

半导体超晶格系统中的磁电调控电子自旋输运研究

  • 1. (1)北京工业大学材料学院薄膜实验室,北京 100124; (2)首都师范大学物理系 北京 100037
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10604001)和北京市自然科学基金(批准号:4073029)资助的课题.

摘要: 通过采用转移矩阵方法求解自旋电子隧穿过程,理论研究了半导体超晶格系统中电子自旋输运的磁电调控行为.结果表明:仅对超晶格系统施以磁调制,隧穿系数将出现自旋分裂,随磁场增强,电导自旋极化率变大且展宽于费米能区;若选取不变磁场情况,同时施以间隔周期电场调制,超晶格的电子极化率将有更为显著地提高.进一步发现,随电场强度的改变,电子自旋输运行为显然存在两个明显不同区域,下自旋电子将在不同调制区域表现为不同的变化趋势.然而,若对周期磁超晶格施加间隔两周期的电调制,自旋电导输运的临界行为消失,电导极化率在高能区的共振峰

English Abstract

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