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硅中热施主的电子结构

许振嘉 孙伯康 王万年 江德生 宋春英

硅中热施主的电子结构

许振嘉, 孙伯康, 王万年, 江德生, 宋春英
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-11-09
  • 刊出日期:  1982-05-05

硅中热施主的电子结构

  • 1. 中国科学院半导体研究所

摘要: 利用20—300K的Hall系数测量和6-300K的红外光吸收,研究了含氧P型CZ硅单晶经450℃不同时间热处理后所产生的热施主问题。Hall系数测量表明:经100hr热处理的样品存在两个施主能级:E1=58meV,E2=110meV。对不同热处理时间的样品,从低温红外光吸收则可看见由于热施主所引起的复杂吸收光谱。这些吸收峰的数目随着热处理时间的加长而增加和加强。利用类氢模型和有效质量理论拟会和计算,可以证明与氧有关的热施主很可能是双重电荷施主。这些双重施主有多种组态,它与450℃热处理的时间有关。

English Abstract

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