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急冷Al-Si-Ge合金超导电性的研究

陈熙琛 管惟炎 易孙圣 王祖仑 林影

急冷Al-Si-Ge合金超导电性的研究

陈熙琛, 管惟炎, 易孙圣, 王祖仑, 林影
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-03-10
  • 刊出日期:  1983-02-05

急冷Al-Si-Ge合金超导电性的研究

  • 1. 中国科学院物理研究所

摘要: 本文研究了热处理对急冷Al-8.3at%Si-8.5at%Ge合金的微观结构及超导电性的影响。结构分析表明,液态淬火的样品由两相组成:过饱和α-Al(Si,Ge)固溶体基体和Al,Si,Ge的非晶球体,后者在基体中相互连接,构成连续通路。经过100℃/50h热处理后,非晶球体尺寸缩小,不再构成连续通路,并在其中析出弥散的Si(Ge)微晶。热处理后的样品的电阻-温度及电阻-磁场转变曲线上均出现两次正常-超导转变。它可以用样品中存在两个超导相的模型予以解释。

English Abstract

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