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单晶硅中硅氢键和氢致缺陷的电子自旋共振研究

C. LEE P. C. TAYLOR 苏昉

单晶硅中硅氢键和氢致缺陷的电子自旋共振研究

C. LEE, P. C. TAYLOR, 苏昉
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-08-11
  • 刊出日期:  2005-07-06

单晶硅中硅氢键和氢致缺陷的电子自旋共振研究

  • 1. (1)美国犹他大学物理系; (2)中国科学技术大学基础物理中心

摘要: 本文先后用光致发光、核磁共振和电子自旋共振研究了单晶硅中硅氢键和氢致缺陷的性质。光致发光谱表明硅氢键引起了大量非辐射中心。观测和探讨了电子自旋共振测量与样品平均厚度的关系。本文克服了真空热处理中氢从表面扩散的困难,并避免了样品平均厚度大于1.00mm和小于0.85mm给电子自旋共振带来的困难,测得分别在纯氢气氛和氩气氛生长的单晶硅每立方厘米电子自旋数。对比二者,我们估算出氢的数量为4×1016/cm3,而硅氢键分离激活能约为0.1eV。前者与文献[6]和[10]符合得很好,后者比文献[11]测定的沉淀激活能低一个数量级。

English Abstract

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