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不同退火方式对Ni/SiC接触界面性质的影响

卢吴越 张永平 陈之战 程越 谈嘉慧 石旺舟

不同退火方式对Ni/SiC接触界面性质的影响

卢吴越, 张永平, 陈之战, 程越, 谈嘉慧, 石旺舟
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-05-17
  • 修回日期:  2014-12-03
  • 刊出日期:  2015-03-05

不同退火方式对Ni/SiC接触界面性质的影响

  • 1. 上海师范大学, 光电材料与器件实验室, 上海 200234
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 2012CB326402)、上海市教委科研创新项目(批准号: 13ZZ108)和上海市科委重点支撑项目(批准号: 13520502700)资助的课题.

摘要: 采用快速热退火(rapid thermal annealing, RTA)法和脉冲激光辐照退火(laser spark annealing, LSA)法, 在n型4H-SiC的Si面制备出Ni电极欧姆接触. 经传输线法测得RTA样品与LSA样品的比接触电阻分别为5.2×10-4 Ω·cm2, 1.8× 10-4 Ω·cm2. 使用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱等表征手段, 比较了两种退火方式对电极表面形貌、电极/衬底截面形貌和元素成分分布、SiC衬底近表层碳团簇微结构的影响. 结果表明, 相比于RTA, LSA法制备出的欧姆接触在电极表面形貌、界面形貌、电极层组分均匀性等方面都具有明显优势, 有望使LSA成为一种非常有潜力的制备欧姆接触的退火处理方法.

English Abstract

参考文献 (12)

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