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基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关特性与机理研究

余志强 刘敏丽 郎建勋 钱楷 张昌华

基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关特性与机理研究

余志强, 刘敏丽, 郎建勋, 钱楷, 张昌华
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  • 采用简单的一步水热法在FTO导电玻璃上外延生长了锐钛矿TiO2纳米线,制备了具有Au/TiO2/FTO器件结构的锐钛矿TiO2纳米线忆阻器,系统研究了器件的阻变开关特性和开关机理.结果表明,Au/TiO2/FTO忆阻器具有非易失的双极性阻变开关特性.同时,在103 s的时间内,器件在0.1 V的电阻开关比始终保持在20以上,表明器件具有良好的非易失性.此外,器件在低阻态时遵循欧姆导电特性,而在高阻态时则满足陷阱控制的空间电荷限制电流传导机制,同时提出了基于氧空位导电细丝形成与断开机制的阻变开关模型.研究结果表明Au/TiO2/FTO忆阻器将是一种很有发展潜力的下一代非易失性存储器.
      通信作者: 张昌华, zch-tan@tom.com
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61463014)、湖北省教育厅科学技术研究项目(批准号:B2018087)和湖北民族学院博士启动基金(批准号:MY2018B016)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2018-03-12
  • 修回日期:  2018-05-02
  • 刊出日期:  2018-08-05

基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关特性与机理研究

  • 1. 湖北民族学院电气工程系, 恩施 445000;
  • 2. 华中科技大学光学与电子信息学院, 武汉 430074
  • 通信作者: 张昌华, zch-tan@tom.com
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61463014)、湖北省教育厅科学技术研究项目(批准号:B2018087)和湖北民族学院博士启动基金(批准号:MY2018B016)资助的课题.

摘要: 采用简单的一步水热法在FTO导电玻璃上外延生长了锐钛矿TiO2纳米线,制备了具有Au/TiO2/FTO器件结构的锐钛矿TiO2纳米线忆阻器,系统研究了器件的阻变开关特性和开关机理.结果表明,Au/TiO2/FTO忆阻器具有非易失的双极性阻变开关特性.同时,在103 s的时间内,器件在0.1 V的电阻开关比始终保持在20以上,表明器件具有良好的非易失性.此外,器件在低阻态时遵循欧姆导电特性,而在高阻态时则满足陷阱控制的空间电荷限制电流传导机制,同时提出了基于氧空位导电细丝形成与断开机制的阻变开关模型.研究结果表明Au/TiO2/FTO忆阻器将是一种很有发展潜力的下一代非易失性存储器.

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