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Mo/Si体系的离子束混合机制研究

高文玉 李宏成 王瑞兰 刘家瑞

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Mo/Si体系的离子束混合机制研究

高文玉, 李宏成, 王瑞兰, 刘家瑞
cstr: 32037.14.aps.38.728

MECHANISM OF ION BEAM MIXING OF Mo LAYER ON Si

GAO WEN-YU, LI HONG-CHENG, WANG RUI-LAN, LIU JIA-RUI
cstr: 32037.14.aps.38.728
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  • 本文采用卢瑟福背散射(RBS)分析技术详细测量了Mo/Si体系在Ar+和Xe7+离子束轰击下界面混合和反应随温度、剂量和剂量率的依赖关系。得到了许多新的结果。结果表明,以前的空位扩散机制、单级联间隙原子扩散机制和热峰模型都不能解释Mo/Si体系的离子束混合。我们结合固体扩散理论提出了间隙原子扩散和反应机制,圆满地解释了实验结果。
    Backscattering spectrometry is used to systematically investigate the temperature, dose and dose-rate dependences of Mo/Si atomic mixing and reaction induced by 170 keV Ar+ ions and 300 keV Xe2+ ions. These results show that the ion beam mixing mechanism of Mo/Si system is not vacancy diffusion and intra-cascade interstitial diffusion, and the thermal spike model also does not apply. We suggest that thhe mechanism of Mo/Si atomic mixing induced by ion implantation should be interstitial diffusion and give a reaction model. Based on this concept, the experimental results can be explained.
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-06-11
  • 刊出日期:  2005-07-08

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