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用飞行时间法研究Si溅射离子簇质谱的结构效应

刘淑荣 江伟林 刘家瑞 林荫浓

用飞行时间法研究Si溅射离子簇质谱的结构效应

刘淑荣, 江伟林, 刘家瑞, 林荫浓
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  • 通过对200kV离子注入机的改造,设计出一台飞行时间(TOF)谱仪,在提高脉冲束时间分辨方面,做了很大努力。测量了单晶、多晶及非晶硅的正、负离子簇飞行谱(质量谱)。比较这三种不同结构Si样品的谱数据,发现溅射离子簇质谱分布与靶物质结构密切相关,这为理论上研究Si离子簇的溅射形成机制提供了实验依据。
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-07-09
  • 刊出日期:  2005-07-01

用飞行时间法研究Si溅射离子簇质谱的结构效应

  • 1. (1)中国科学院物理研究所,北京,100080; (2)中国科学院物理研究所,北京,100080;天津师范大学物理系,天津,300074; (3)中国科学院物理研究所,北京,100080;中国科学院低温技术实验中心,北京,100080

摘要: 通过对200kV离子注入机的改造,设计出一台飞行时间(TOF)谱仪,在提高脉冲束时间分辨方面,做了很大努力。测量了单晶、多晶及非晶硅的正、负离子簇飞行谱(质量谱)。比较这三种不同结构Si样品的谱数据,发现溅射离子簇质谱分布与靶物质结构密切相关,这为理论上研究Si离子簇的溅射形成机制提供了实验依据。

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