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Ge(112)-(4×1)-In表面重构的原子结构

涂修文 盖峥

Ge(112)-(4×1)-In表面重构的原子结构

涂修文, 盖峥
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  • 用扫描隧道显微镜(STM)研究了亚单层In原子引起的Ge(112)-(4×1)-In表面重构.结合随偏压极性不同而显著不同的STM图象和相应的“原子图象”,为这个重构提出了一个原子结构模型,供进一步研究参考.其中,In原子的吸附位置与它在Si(112)表面的吸附位置一致,但与Al原子和Ga原子在Si(112)表面的吸附位置不同.这个吸附位置的不同主要是由In原子较长的共价键键长引起的
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:19634010)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-04-02
  • 刊出日期:  2001-06-05

Ge(112)-(4×1)-In表面重构的原子结构

  • 1. 北京大学物理系人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:19634010)资助的课题.

摘要: 用扫描隧道显微镜(STM)研究了亚单层In原子引起的Ge(112)-(4×1)-In表面重构.结合随偏压极性不同而显著不同的STM图象和相应的“原子图象”,为这个重构提出了一个原子结构模型,供进一步研究参考.其中,In原子的吸附位置与它在Si(112)表面的吸附位置一致,但与Al原子和Ga原子在Si(112)表面的吸附位置不同.这个吸附位置的不同主要是由In原子较长的共价键键长引起的

English Abstract

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