用离子束增强沉积从V2O5粉末制备高热电阻温度系数VO_2薄膜

李金华; 袁宁一; 陈王丽华; 林成鲁

doi:10.7498/aps.51.1788

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采用了一种用离子束增强沉积从V2O5粉末直接制备VO2薄膜的新方法,将纯度为997%的V2O5粉末压成溅射靶,在用Ar离子束溅射的同时,用氩氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入,使沉积膜中V2O5的V—O键断裂,进而被注入的氢还原,退火后获得热电阻温度系数(TCR)高达4%的VO2薄膜.高剂量的氩氢混合束注入对薄膜引入应力,使薄膜的转换温度降低、电阻温度曲线斜率变大,是薄膜TCR增大的原因

关键词:
离子束增强沉积 /

VO2薄膜 /

热电阻温度系数
Abstract
Keywords:
/

/
作者及机构信息
李金华¹,

袁宁一²,

陈王丽华³,

林成鲁⁴

(1)江苏石油化工学院信息科学系,常州213016)2;香港理工大学应用物理系及材料研究中心,香港,九龙)3;中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,上海200050; (2)江苏石油化工学院信息科学系,常州213016)2;香港理工大学应用物理系及材料研究中心,香港,九龙)4;中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050; (3)香港理工大学应用物理系及材料研究中心,香港,九龙; (4)中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050)

基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :10 175 0 2 7)资助的课题~~
Authors and contacts
Li Jin-Hua¹,

Yuan Ning-Yi²,

H L W Chan³,

Lin Cheng-Lu⁴

(1)江苏石油化工学院信息科学系,常州213016)2;香港理工大学应用物理系及材料研究中心,香港,九龙)3;中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,上海200050; (2)江苏石油化工学院信息科学系,常州213016)2;香港理工大学应用物理系及材料研究中心,香港,九龙)4;中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050; (3)香港理工大学应用物理系及材料研究中心,香港,九龙; (4)中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050)
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[1]	陈锦峰, 朱林繁. 等离子体刻蚀建模中的电子碰撞截面数据. 物理学报, 2024, 73(9): 095201. doi: 10.7498/aps.73.20231598
[2]	邓珊珊, 宋平, 刘潇贺, 姚森, 赵谦毅. 吉帕级单轴应力下Mn₃Sn单晶的磁化率增强. 物理学报, 2024, 0(0): . doi: 10.7498/aps.73.20240287

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