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γ-LiAlO2晶体生长、改性和热学性质研究

邹 军 张连翰 周圣明 徐 军 韩 平 张 荣

γ-LiAlO2晶体生长、改性和热学性质研究

邹 军, 张连翰, 周圣明, 徐 军, 韩 平, 张 荣
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  • 采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易 挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vapor transport equilibra tion technique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从1169arcsec降至442arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至552arcsec.快速提拉法生长出来晶体,100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为172398×10-6/K,107 664×10-6/K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16 6539×10-6/K和101784×10-6/K.
    • 基金项目: 中国科学院“百人计划”和国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA311080)资助的课题
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-01-04
  • 修回日期:  2005-03-07
  • 刊出日期:  2005-09-20

γ-LiAlO2晶体生长、改性和热学性质研究

  • 1. (1)南京大学物理系,南京 210093; (2)中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800;中国科学院研究生院,北京 100039
    基金项目: 

    中国科学院“百人计划”和国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA311080)资助的课题

摘要: 采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易 挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vapor transport equilibra tion technique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从1169arcsec降至442arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至552arcsec.快速提拉法生长出来晶体,100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为172398×10-6/K,107 664×10-6/K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16 6539×10-6/K和101784×10-6/K.

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