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氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用

黄维 陈之战 陈博源 张静玉 严成锋 肖兵 施尔畏

氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用

黄维, 陈之战, 陈博源, 张静玉, 严成锋, 肖兵, 施尔畏
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  • 采用浓度为10%的氢氟酸(HF)刻蚀6H-SiC单晶片,研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响.经24?h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后,其接触表现良好线性的电流-电压(I-V)曲线.低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒,但在大于1000℃快速退火后,也得到了良好线性的I-V曲线.X射线衍射(XRD)和俄歇能谱(AES)深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物.XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C
    • 基金项目: 国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A146),中国科学院知识创新项目(批准号:KGCX2-YW-206),上海自然科学基金(批准号:06ZR14096)和高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放基金(批准号:SKL200810SIC)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-06-19
  • 修回日期:  2008-08-22
  • 刊出日期:  2009-05-20

氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用

  • 1. (1)中国科学院上海硅酸盐研究所宽禁带半导体材料课题组,上海 200050; (2)中国科学院上海硅酸盐研究所宽禁带半导体材料课题组,上海 200050;中国科学院研究生院,北京 100049; (3)中国科学院研究生院,北京 100049;中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海 200050
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A146),中国科学院知识创新项目(批准号:KGCX2-YW-206),上海自然科学基金(批准号:06ZR14096)和高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放基金(批准号:SKL200810SIC)资助的课题.

摘要: 采用浓度为10%的氢氟酸(HF)刻蚀6H-SiC单晶片,研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响.经24?h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后,其接触表现良好线性的电流-电压(I-V)曲线.低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒,但在大于1000℃快速退火后,也得到了良好线性的I-V曲线.X射线衍射(XRD)和俄歇能谱(AES)深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物.XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C

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