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基于垂直引线和调制电流的三线环形磁导引

程俊 张敬芳 许忻平 蒋小军 李晓林 张海潮 王育竹

基于垂直引线和调制电流的三线环形磁导引

程俊, 张敬芳, 许忻平, 蒋小军, 李晓林, 张海潮, 王育竹
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  • 提出了一种在单层原子芯片上实现闭合且导引中心无磁场零点的环形磁导引的新方案. 芯片表面刻蚀的导线结构由同心等距三环线构成, 三环线的电流引线垂直于芯片表面. 加载直流电流后, 这种构型即可在芯片表面附近产生闭合的环形磁导引. 交流调制三环线电流后, 环形磁导引的势能极小值附近不再存在磁场零点且其磁场起伏小. 这种方案可用于基于物质波干涉的原子芯片陀螺仪研究.
    [1]

    Rosi G, Sorrentino F, Cacciapuoti L, Prevedelli M, Tino G M 2014 Nature 510 518

    [2]

    Gupta S, Dieckmann K, Hadzibabic Z, Pritchard D E 2002 Phys. Rev. Lett. 89 140401

    [3]

    Canuel B, Leduc F, Holleville D, Gauguet A, Fils J, Virdis A, Clairon A, Dimarcq N, Bord C J, Landragin A, Bouyer P 2006 Phys. Rev. Lett. 97 010402

    [4]

    Zhou M K, Duan X C, Chen L L, Luo Q, Xu Y Y, Hu Z K 2015 Chin.Phys.B 24 050401

    [5]

    Wang Y J, Anderson D Z, Bright V M, Cornell E A, Diot Q, Kishimoto T, Prentiss M, Saravanan R A, Segal S R, Wu S 2005 Phys. Rev. Lett. 94 090405

    [6]

    Snadden M J M J M, Bouyer P, Haritos K G and Kasevich M A 1998 Phys. Rev. Lett. 81 971

    [7]

    Tang B, Zhang B, Zhou L, Wang J, Zhan M 2015 Eur. Phys. J. D 69 233

    [8]

    Barrett B, Geiger R, Dutta I, Meunier M, Canuel B, Gauguet A, Bouyer P, Landragin A 2014 C.R.Physique 15 875

    [9]

    Wu S, Su E, Prentiss M 2007 Phys. Rev. Lett. 99 173201

    [10]

    Geiger R, Menoret V, Stern G, Zahzam N, Cheinet P, Battelier B, Villing A, Moron F, Lours M, Bidel Y, Bresson A, Landragin A, Bouyer P 2011 Nat. Commun. 2 474

    [11]

    Cronin A D, Schmiedmayer J, Pritchard D E 2009 Rev. Mod. Phys. 81 1051

    [12]

    Wang J 2015 Chin. Phys. B 24 053702

    [13]

    Yan H 2012 Appl. Phys. Lett. 101 194102

    [14]

    Richmond J A, Cantwell B P, Chormaic S N, Lau D C, Akulshin A M, Opat G I 2002 Phys. Rev. A 65 033422

    [15]

    Vangeleyn M, Garraway B M, Perrin H, Arnold A S 2014 J. Phys. B: At., Mol. Opt. Phys. 47 071001

    [16]

    Sauer J A, Barrett M D, Chapman M S 2001 Phys. Rev. Lett. 87 270401

    [17]

    Deissler B, Hughes K J, Burke J H T, Sackett C A 2008 Phys. Rev. A 77 031604

    [18]

    Folman R, Kruger P, Cassettari D, Hessmo B, Maier T, Schmiedmayer J 2000 Phys. Rev. Lett. 84 4749

    [19]

    Lovecchio C, Cherukattil S, Cilenti B, Herrera I, Cataliotti F S, Montangero S, Calarco T, Caruso F 2015 New J. Phys. 17 093024

    [20]

    Crookston M B, Baker P M, Robinson M P 2005 J. Phys. B: At., Mol. Opt. Phys. 38 3289

    [21]

    Baker P M, Stickney J A, Squires M B, Scoville J A, Carlson E J, Buchwald W R, Miller S M 2009 Phys. Rev. A 80 063615

    [22]

    Jiang X J, Li X L, Xu X P, Zhang H C, Wang Y Z 2015 Chin. Phys. Lett. 32 020301

    [23]

    Petrich W, Anderson M H, Ensher J R, Cornell E A 1995 Phys. Rev. Lett. 74 3352

    [24]

    Minogin V G, Richmond J A, Opat G I 1998 Phys. Rev. A 58 3138

    [25]

    Feenstra L 2004 Gen. Relat. Gravit. 36 2317

    [26]

    Katti G, Stucchi M, De Meyer K, Dehaene W 2010 IEEE T ELECTR INSUL 57 256

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    Arnold A S 2004 J. Phys. B: At., Mol. Opt. Phys. 37 L29

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    Arnold A S 2004 J. Phys. B: At., Mol. Opt. Phys. 37 L29

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出版历程
  • 收稿日期:  2015-09-08
  • 修回日期:  2016-01-06
  • 刊出日期:  2016-03-05

基于垂直引线和调制电流的三线环形磁导引

摘要: 提出了一种在单层原子芯片上实现闭合且导引中心无磁场零点的环形磁导引的新方案. 芯片表面刻蚀的导线结构由同心等距三环线构成, 三环线的电流引线垂直于芯片表面. 加载直流电流后, 这种构型即可在芯片表面附近产生闭合的环形磁导引. 交流调制三环线电流后, 环形磁导引的势能极小值附近不再存在磁场零点且其磁场起伏小. 这种方案可用于基于物质波干涉的原子芯片陀螺仪研究.

English Abstract

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