Cd掺杂p型Ge基Ba<sub>8</sub>Ga<sub>16</sub>Cd<sub><i>x</i></sub>Ge<sub>30-<i>x</i></sub> Ⅰ型笼合物的结构及热电特性
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物理学报  2009, Vol. 58 Issue (6): 4274-4280
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Cd掺杂p型Ge基Ba8Ga16CdxGe30-x Ⅰ型笼合物的结构及热电特性
唐新峰1, 鄢永高1, 杨培志2, 邓书康3
(1)武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070; (2)云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,太阳能研究所,昆明 650092; (3)云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,太阳能研究所,昆明 650092;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070
Structure and thermoelectric properties of p-type Ge-based Ba8Ga16CdxGe30-x type-Ⅰ clathrates doping by Cd
Tang Xin-Feng1, Yan Yong-Gao1, Yang Pei-Zhi2, Deng Shu-Kang3
(1)武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070; (2)云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,太阳能研究所,昆明 650092; (3)云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,太阳能研究所,昆明 650092;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070

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