一维半导体高聚物中的激子态和发光性质及局部晶格畸变所产生的影响——Lancos严格对角化方法
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  1999, Vol. 48 Issue (6): 1138-1146
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
一维半导体高聚物中的激子态和发光性质及局部晶格畸变所产生的影响——Lancos严格对角化方法
熊 烨
南京大学物理系、固体微结构国家重点实验室,南京 210093
EXCITON STATES AND LUMINESCENT PROPERTIES IN ONE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR POLYMER AND THE EFFECT OF LATTICE DISTORTION
XIONG YE
南京大学物理系、固体微结构国家重点实验室,南京 210093

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn