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β—SiC外延层中晶体缺陷的观察

郭常霖

β—SiC外延层中晶体缺陷的观察

郭常霖
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-12-16
  • 刊出日期:  2005-07-27

β—SiC外延层中晶体缺陷的观察

  • 1. 中国科学院上海硅酸盐研究所

摘要: 用腐蚀法研究了β-SiC外延层中的晶体缺陷。腐蚀剂为熔融氢氧化钾。三角形尖底蚀坑对应于位错。在β-SiC中的全位错为立方晶系的73°位错和60°位错。不同堆垛方式的β-siC生长层相遇时将形成{111}交界层错,其腐蚀图象为平行于方向的直线。60°位错可分解为两个1/6SchockLey不全位错,并夹着一片{111}层错构成扩展位错。三个1/6压杆位错与三片{111}层错可构成层错锥体。正、反堆垛的β-SiC可形成尖晶石律双晶,双晶面为(111)。腐蚀法和X射线劳厄法证实了这种双晶的存在。

English Abstract

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