化合物半导体中离子射程参数与化学键中离子特性间关系研究

王德宁; 王渭源

doi:10.7498/aps.38.923

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化合物半导体中离子射程参数与化学键中离子特性间关系研究

王德宁 , 王渭源

化合物半导体中离子射程参数与化学键中离子特性间关系研究

王德宁, 王渭源

物理学报. 1989, 38(6): 923-930.

doi: 10.7498/aps.38.923.

摘要
本文基于分子轨道法线性组合理论,推导出不同原子组成的分子的久期方程,从而得出分子波函数线性组合的特征常数N和λ的定量关系式,以及成键合能量和反键合能量的方程式.并通过这两能量之差,使N,λ系数与晶体对称势V共价所产生的平均能隙Eh,反对称蛰V离子所产生的能隙C和其总能隙Eg等相联系起来,导出了λ与分数光谱离子性fi和C/Eh比值间的关系式.由λ,N可导出fi与化合物半导体中离子射程参数间的关系式.应用上述一些关系式结合闪锌矿和纤锌矿结构特性,可以很好地解释两种结构的偏离系数γ(即化合物半导体中实际电子阻止本领对Bragg电子阻止本领的偏离系数)间互成倒数和压电系数epol的符号相反的原因.因此从C/Eh,γ,epol,对fi三曲线转折点完全一致,可以清晰地看出半导体化合物的价键和晶体结构特性决定了它的一系列物理、化学特性.
作者及机构信息
王德宁,

王渭源

1.
中国科学院上海冶金研究所
参考文献

施引文献

[1]	王德宁, 王渭源. 正偏离Bragg定律的二元化合物靶中离子射程参数研究. 物理学报, 1983, 32(7): 925-932. doi: 10.7498/aps.32.925
[2]	霍裕平, 刘志远, 陈肖兰. 共价半导体的化学键模型. 物理学报, 1962, 81(12): 609-620. doi: 10.7498/aps.18.609
[3]	杨洪, 夏日源, 谭春雨, 李金华. 化合物和合金中离子投影射程分布矩的计算(Ⅰ)——重离子(Z1>10)的射程分布矩. 物理学报, 1983, 32(4): 423-445. doi: 10.7498/aps.32.423
[4]	夏日源, 杨洪, 谭春雨, 孙秀芳, 高守文. 化合物和合金中离子投影射程分布矩的计算(Ⅱ)——轻离子(Z1≤10)的射程分布矩. 物理学报, 1984, 33(8): 1137-1148. doi: 10.7498/aps.33.1137
[5]	彭周人, 杜奇石, 李丙瑞. 非晶态半导体的缺陷态化学键的量子化学研究. 物理学报, 1985, 34(4): 542-546. doi: 10.7498/aps.34.542
[6]	陈小华, 彭景翠, 李文铸. 碱金属低掺杂C60化合物中碱金属离子平衡位置的研究. 物理学报, 2000, 49(3): 513-517. doi: 10.7498/aps.49.513
[7]	王杰, 俞根才, 诸长生, 王迅. 宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究. 物理学报, 1995, 44(9): 1471-1479. doi: 10.7498/aps.44.1471
[8]	黄整, 张秀兰, 黄华山, 余聪, 陈波, 孙光爱, 高国强. 金属间化合物YFe11Ti中替代元素的致稳机理与系统磁性的理论研究. 物理学报, 2006, 55(11): 6036-6041. doi: 10.7498/aps.55.6036
[9]	杨庆龄, 陈奕仪, 吴幸, 沈国瑞, 孙立涛. Cu/Al引线键合界面金属间化合物生长过程的原位实验研究. 物理学报, 2015, 64(21): 216804. doi: 10.7498/aps.64.216804
[10]	宁兆元, 程珊华, 叶超. 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积a-CFx薄膜的化学键结构. 物理学报, 2001, 50(3): 566-571. doi: 10.7498/aps.50.566
[11]	杨洪, 孙秀芳, 夏日源, 徐现刚, 张兆林, 谭春雨. 多层介质中的离子射程分布. 物理学报, 1989, 38(7): 1111-1121. doi: 10.7498/aps.38.1111
[12]	冯少新, 金庆华, 郭振亚, 李宝会, 丁大同. 碱土氟化物中离子间相互作用势经验参数的确定. 物理学报, 1998, 47(11): 1811-1817. doi: 10.7498/aps.47.1811
[13]	马嵩松, 舒天宇, 朱家旗, 李锴, 吴惠桢. Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结二维电子气研究进展. 物理学报, 2019, 68(16): 166801. doi: 10.7498/aps.68.20191074
[14]	王仁智, 郑永梅, 吴孙桃, 黄美纯. Ⅲ-V族化合物半导体Λ轴光学声子形变势的研究. 物理学报, 1993, 42(4): 640-646. doi: 10.7498/aps.42.640
[15]	侯氢, 罗正明. 利用离子输运的标度特性计算离子在固体中的射程分布. 物理学报, 1995, 44(3): 471-478. doi: 10.7498/aps.44.471
[16]	裴海林, 康建海, 姜恩永, 宋庆功, 郭英. 插层化合物LixTiS2中Li离子-空位二维有序结构稳定性的第一性原理研究. 物理学报, 2007, 56(8): 4817-4822. doi: 10.7498/aps.56.4817
[17]	卢志文, 仲志国, 刘克涛, 宋海珍, 李根全. 高温高压下Ag-Mg-Zn合金中金属间化合物的微观结构与热动力学性质的第一性原理计算. 物理学报, 2013, 62(1): 016106. doi: 10.7498/aps.62.016106
[18]	邵其鋆, 潘正瑛. 注入离子在无定形固体靶中投影射程分布的统计特性. 物理学报, 1995, 44(3): 479-487. doi: 10.7498/aps.44.479
[19]	王焕友, 徐慧, 郭爱敏, 肖剑荣. 含氮氟化类金刚石(FN-DLC)薄膜的研究：(Ⅰ) sp结构与化学键分析. 物理学报, 2007, 56(3): 1802-1808. doi: 10.7498/aps.56.1802
[20]	郭沪玲, 王德宁, 王渭源. 合金三元和四元系无定形靶中离子射程研究. 物理学报, 1983, 32(3): 393-399. doi: 10.7498/aps.32.393

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物理学报. 1989, 38(6): 923-930.

doi: 10.7498/aps.38.923.

化合物半导体中离子射程参数与化学键中离子特性间关系研究

1. 中国科学院上海冶金研究所

收稿日期: 1988-09-02
刊出日期: 2005-07-08

摘要: 本文基于分子轨道法线性组合理论,推导出不同原子组成的分子的久期方程,从而得出分子波函数线性组合的特征常数N和λ的定量关系式,以及成键合能量和反键合能量的方程式.并通过这两能量之差,使N,λ系数与晶体对称势V共价所产生的平均能隙Eh,反对称蛰V离子所产生的能隙C和其总能隙Eg等相联系起来,导出了λ与分数光谱离子性fi和C/Eh比值间的关系式.由λ,N可导出fi与化合物半导体中离子射程参数间的关系式.应用上述一些关系式结合闪锌矿和纤锌矿结构特性,可以很好地解释两种结构的偏离系数γ(即化合物半导体中实际电子阻止本领对Bragg电子阻止本领的偏离系数)间互成倒数和压电系数epol的符号相反的原因.因此从C/Eh,γ,epol,对fi三曲线转折点完全一致,可以清晰地看出半导体化合物的价键和晶体结构特性决定了它的一系列物理、化学特性.

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化合物半导体中离子射程参数与化学键中离子特性间关系研究

English Abstract

INVESTIGATION ON THE IONIC CHARACTERISTIC OF CHEMICAL BOND IN COMPOUND SEMICONDUCTOR AND THE EFFECT OF IT ON THE IONIC RANGE PARAMETERS

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化合物半导体中离子射程参数与化学键中离子特性间关系研究

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INVESTIGATION ON THE IONIC CHARACTERISTIC OF CHEMICAL BOND IN COMPOUND SEMICONDUCTOR AND THE EFFECT OF IT ON THE IONIC RANGE PARAMETERS

1. 中国科学院上海冶金研究所

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