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非晶硅电致发光机理及用电致发光谱研究太阳能电池本征层中的缺陷态能量分布

韩大星 王万录 张 智

非晶硅电致发光机理及用电致发光谱研究太阳能电池本征层中的缺陷态能量分布

韩大星, 王万录, 张 智
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-08-10
  • 刊出日期:  1999-08-20

非晶硅电致发光机理及用电致发光谱研究太阳能电池本征层中的缺陷态能量分布

  • 1. (1)美国北卡罗莱那大学物理天文系,NC27599-3255,USA; (2)重庆大学应用物理系,重庆 400044

摘要: 用弥散性输运控制的复合机理完善地解释了非晶硅p-i-n二极管电致发光谱的特征,从而澄清了许多年来对电致发光效率及峰值的误解.描述了用电致发光谱术研究非晶硅p-i-n太阳能电池本征层中局域态的实验方法.结果表明:采用H2稀释方法制备的样品,其缺陷态能量分布呈单一窄峰;而用纯硅烷制备的样品其缺陷态能量分布较宽,且呈双峰.

English Abstract

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