搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Bi2Ti2O7/Si薄膜的制备及C-V特性研究

王少伟 陆卫 王弘 王栋 王民 沈学础

引用本文:
Citation:

Bi2Ti2O7/Si薄膜的制备及C-V特性研究

王少伟, 陆卫, 王弘, 王栋, 王民, 沈学础

C-V CHARACTERISTICS OF Bi2Ti2O7 THIN FILMS ON n-Si(100)

WANG SHAO-WEI, LU WEI, WANG HONG, WANG DONG, WANG MIN, SHEN XUE-CHU
PDF
导出引用
  • 采用化学溶液分解法(CSD)在Si衬底上制备了Bi2Ti2O7薄膜.X射线双晶衍射和原子力显微镜检测表明,所制备的薄膜主要为Bi2Ti2O7相的多晶材料.同时还研究了AuBi2Ti2O7/n-Si(100)结构的电容电压(C-V)特性,结果表明,在Bi2Ti2O
    We report the growth of Bi2Ti2O7 thin films on n type Si substrates by the chemical solution decomposition technique. Both the X-ray double-crystal diffraction and atomic force micro spectroscopy measurements are used to check the film properties. It is shown that the film is a multi crystal film dominated by the Bi2Ti2O7 phase. The C-V measurements are also performed on Au/Bi2Ti2O7/n-Si(100) MOS structure. It is revealed that both the fixed and mobile negative charges are contained in the film. The mobile negative charge results in the hysteresis loops on C-V curve.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G199808140404);国家自然科学基金(批准号:10074088)资助的课题.
计量
  • 文章访问数:  4029
  • PDF下载量:  763
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2001-05-29
  • 修回日期:  2001-06-29
  • 刊出日期:  2001-06-05

Bi2Ti2O7/Si薄膜的制备及C-V特性研究

  • 1. (1)山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100; (2)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室上海200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室上海200083,山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G199808140404)

    国家自然科学基金(批准号:10074088)资助的课题.

摘要: 采用化学溶液分解法(CSD)在Si衬底上制备了Bi2Ti2O7薄膜.X射线双晶衍射和原子力显微镜检测表明,所制备的薄膜主要为Bi2Ti2O7相的多晶材料.同时还研究了AuBi2Ti2O7/n-Si(100)结构的电容电压(C-V)特性,结果表明,在Bi2Ti2O

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回