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ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度

成鹏飞 李盛涛 焦兴六

ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度

成鹏飞, 李盛涛, 焦兴六
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-12
  • 修回日期:  2006-03-27
  • 刊出日期:  2006-08-20

ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度

  • 1. 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安 710049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50477023)资助的课题.

摘要: 研究了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷等效势垒高度eff随着归一化电压的变化规律,发现等效势垒高度eff随着归一化电压的增加先逐渐增大,达到最大值后持续下降.由于在外加电压作用下反偏势垒高度高于正偏势垒高度,等效势垒高度eff主要取决于反偏势垒.因此,这种变化规律说明了ZnO压敏陶瓷晶界的导电过程可能存在三个阶段.在低归一化电压区,晶界区域中的电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率低于电子从晶界无序

English Abstract

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