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γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究

丁迎春 潘洪哲 沈益斌 祝文军 徐 明 贺红亮

γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究

丁迎春, 潘洪哲, 沈益斌, 祝文军, 徐 明, 贺红亮
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-04-14
  • 修回日期:  2006-05-17
  • 刊出日期:  2007-01-08

γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究

  • 1. (1)四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室,成都 610068; (2)四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室,成都 610068;中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,绵阳 621900; (3)四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室,成都 610068;重庆邮电学院光电工程学院,重庆 400065; (4)中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,绵阳 621900
    基金项目: 

    四川省教育厅重点基金(批准号:2005A092)和四川师范大学重点研究经费(批准号:037003)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明,γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.

English Abstract

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