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半导体闪络引起的材料表面破坏现象研究

赵文彬 张冠军 严 璋

半导体闪络引起的材料表面破坏现象研究

赵文彬, 张冠军, 严 璋
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-11
  • 修回日期:  2008-03-06
  • 刊出日期:  2008-08-20

半导体闪络引起的材料表面破坏现象研究

  • 1. 西安交通大学电气工程学院,电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安 710049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50107008)、教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-04-0943)和西安交通大学博士学位论文基金(批准号:DFXJTU2004-03)资助的课题.

摘要: 长期以来,沿半导体表面的闪络现象使得很多高功率半导体器件只能工作在相对较低的电场下,限制了它们的发展,而目前对半导体闪络的物理机理尚不明确.开展了冲击高压下Si及GaAs半导体的表面闪络实验,通过红外摄影观察到闪络过程中半导体表面存在的细丝状电流通道,且发现电极中央区域会出现明显红外辐射集中点.在闪络后的材料表面可以观察到细丝状破坏现象,其中在破坏后的n100型Si材料表面的细丝通道周围发现了凹坑形结构,凹坑中心存在圆锥状突起.结合电极边缘细丝状的破坏现象,讨论了电极边缘的热注入和内部多数载流子的弛豫特性

English Abstract

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