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GaN/SiC异质结的慢正电子研究

王海云 Ling C. C. 翁惠民

GaN/SiC异质结的慢正电子研究

王海云, Ling C. C., 翁惠民
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-12
  • 修回日期:  2008-03-04
  • 刊出日期:  2008-09-20

GaN/SiC异质结的慢正电子研究

  • 1. (1)南京邮电大学应用物理系, 南京 210003; (2)香港大学物理系,香港 中国; (3)中国科学技术大学近代物理系,合肥 230026

摘要: 通过对不同生长厚度GaN/SiC(n-n)的慢正电子研究,发现在GaN/SiC的界面中存在大量各种缺陷并在界面两端形成两个不同方向的电场. 这些缺陷的产生和SiC衬底表面制备以及GaN和SiC不同的热膨胀系数有关. 而缺陷中大量的带状缺陷在界面中形成一个费米能级钉扎(Fermi level pinning),它的存在使界面中存在一定高度的势垒,导致在界面两端的一定区域内形成两个不同方向的电场. 用VEPFIT模拟该电场的存在,分四层(GaN/Interface/SiC1/SiC2)进行拟合,得到了很好的拟

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