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量子点浮置栅量子线沟道三栅结构单电子场效应管存储特性的数值模拟

刘 奎 丁宏林 张贤高 余林蔚 黄信凡 陈坤基

量子点浮置栅量子线沟道三栅结构单电子场效应管存储特性的数值模拟

刘 奎, 丁宏林, 张贤高, 余林蔚, 黄信凡, 陈坤基
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-12-03
  • 修回日期:  2008-05-09
  • 刊出日期:  2008-11-20

量子点浮置栅量子线沟道三栅结构单电子场效应管存储特性的数值模拟

  • 1. 南京大学物理系,固体微结构国家实验室,南京 210093
    基金项目: 

    国家重大科学研究计划项目(批准号:2006CB932202),国家自然科学基金(批准号:90301009,60571008)资助的课题.

摘要: 通过建立二维薛定谔方程和泊松方程数值模型,对基于硅量子点浮置栅和硅量子线沟道三栅结构单电子场效应管(FET)存储特性进行了研究.通过在不同尺寸、栅压和不同写入电荷条件下,对硅量子线沟道中电子浓度的二维有限元自洽数值求解,研究了在纳米尺度下硅量子线沟道中量子限制效应和电荷分布对于器件特性的影响.模拟结果发现,沟道的导通阈值电压随着尺寸的缩小而提高,并随浮置栅内存储的电子数目的增加而明显升高.然而,这样的增加趋势在受到纳米尺度沟道中高电荷密度的影响下将出现非线性饱和趋势.进一步研究发现,当沟道尺寸较小时,沟道

English Abstract

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