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Cd掺杂p型Ge基Ba8Ga16CdxGe30-x Ⅰ型笼合物的结构及热电特性

唐新峰 鄢永高 杨培志 邓书康

Cd掺杂p型Ge基Ba8Ga16CdxGe30-x Ⅰ型笼合物的结构及热电特性

唐新峰, 鄢永高, 杨培志, 邓书康
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-09-25
  • 修回日期:  2008-10-29
  • 刊出日期:  2009-06-20

Cd掺杂p型Ge基Ba8Ga16CdxGe30-x Ⅰ型笼合物的结构及热电特性

  • 1. (1)武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070; (2)云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,太阳能研究所,昆明 650092; (3)云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,太阳能研究所,昆明 650092;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB607501,2007CB607503)资助的课题.

摘要: 以Cd作为掺杂元素,用熔融法结合放电等离子体烧结(SPS)技术制备了具有不同Cd含量的Ba8Ga16CdxGe30-x(x=0.95, 1.00, 1.05, 1.10) Ⅰ型笼合物,研究了Cd掺杂对其结构及热电性能的影响.Rietveld结构解析表明所制备的Ba8Ga16CdxGe30-

English Abstract

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