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Sr/Si界面沉积SrTiO3初始生长阶段的扫描遂道显微术研究

邱云飞 杜文汉 王兵

Sr/Si界面沉积SrTiO3初始生长阶段的扫描遂道显微术研究

邱云飞, 杜文汉, 王兵
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  • 本文工作利用脉冲激光沉积术(PLD)和超高真空扫描隧道显微术(UHV-STM),研究了在Sr/Si(001)-(2×1)衬底表面上真空室温沉积几个单层SrTiO3薄膜的初始生长过程.经660 ℃退火处理后,Sr/Si衬底表面上形成了纳米岛状结构.经分析,这些纳米小岛为C49-TiSi2和 C54-TiSi2.实验结果表明,在没有氧气的情况下退火,Sr/Si界面无法有效阻止SrTiO3薄膜与Si衬底之间的相互作用.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60771006)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-14
  • 修回日期:  2010-06-30
  • 刊出日期:  2011-03-15

Sr/Si界面沉积SrTiO3初始生长阶段的扫描遂道显微术研究

  • 1. 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室,合肥 230026
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60771006)资助的课题.

摘要: 本文工作利用脉冲激光沉积术(PLD)和超高真空扫描隧道显微术(UHV-STM),研究了在Sr/Si(001)-(2×1)衬底表面上真空室温沉积几个单层SrTiO3薄膜的初始生长过程.经660 ℃退火处理后,Sr/Si衬底表面上形成了纳米岛状结构.经分析,这些纳米小岛为C49-TiSi2和 C54-TiSi2.实验结果表明,在没有氧气的情况下退火,Sr/Si界面无法有效阻止SrTiO3薄膜与Si衬底之间的相互作用.

English Abstract

参考文献 (36)

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