90 nm CMOS工艺下p+深阱掺杂浓度对电荷共享的影响

刘凡宇; 刘衡竹; 刘必慰; 梁斌; 陈建军

doi:10.7498/aps.60.046106

摘要

基于3维TCAD器件模拟,研究了90 nm CMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响. 研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享. 这一结论可用于指导电荷共享的加固.

关键词:

This paper deals with the effect of doping concentration in p+ deep well on charge sharing in 90nm dual well CMOS technology. TCAD simulation results show doping concentration in p+ deep well has a more significant effect on charge sharing in PMOS tube than in NMOS tube. By increasing doping concentration of p+ deep well appropriately, the charge sharing in PMOS can be restrained effectively, which is useful for reinforcing the charge sharing.

Keywords:

作者及机构信息

1.
国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所,长沙 410073

基金项目: 国家自然科学基金重点项目(批准号:60836004),国家自然科学基金(批准号:61006070)资助的课题.

Authors and contacts

1.
Computer School, National University of Defense Technology, Changsha 410073,China

参考文献

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[9]	Massengill L W, Amusan O A, Dasgupta S, Sternberg A L, Black J D, Witulski A F, Bhuva B L, Alles M L 2007 International Conference on Integrated Circuit Design and Technology 213—216
[10]	Amusan O A, Casey M C, Bhuva B L, McMorrow D, Gadlage M J, Melinger J S, Massengill L W 2009 IEEE Trans. Nucl. Sci. 56 3065
[11]	Liu B W, Chen S M, Liang B, Liu Z, Zhao Z Y 2009 IEEE Trans. Nucl. Sci. 56 2473
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施引文献

[1]	Jderström H, Murin Y, Babain Y, Chubarov M, Pljuschev V, Zubkov M, Nomokonov P, Olsson N, Blomgren J, Tippawan U, Westerberg L, Golubev P, Jakobsson B, Gerén L, Tegnér P E, Zartova I, Budzanowski A, Czech B, Skwirczynska I, Kondratiev V, Tang H H K, Aichelin J, Watanabe Y, Gudima K K 2008 Phys. Rev. C 77 2813
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[18]	Dodd P E, Sexton F W, Winokur P S 1994 IEEE Trans. Nucl. Sci. 41 2005
[19]	Hsieh C M, Murley P C, O’Brien R R 1981 IEEE Elec. Dev. Lett. EDL-2 103
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