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应变对单层二硫化钼能带影响的第一性原理研究

吴木生 徐波 刘刚 欧阳楚英

应变对单层二硫化钼能带影响的第一性原理研究

吴木生, 徐波, 刘刚, 欧阳楚英
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  • 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法, 研究了双轴拉应变下单层二硫化钼晶体的电子结构性质. 本文的计算结果表明对单层二硫化钼晶体施加一个很小的应变(0.5%)时, 其能带结构由直接带隙转变为间接带隙.随着应变的增加, 能带仍然保持间接带隙的特征, 且禁带宽度呈现线性下降的趋势.通过对单层二硫化钼晶体态密度和投影电荷密度的进一步分析, 揭示了单层二硫化钼晶体能带变化的原因.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10904054)和江西省自然科学基金(批准号: 2009GQW008, 2010GZW0028)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-03-31
  • 修回日期:  2012-06-05
  • 刊出日期:  2012-11-05

应变对单层二硫化钼能带影响的第一性原理研究

  • 1. 江西师范大学物理与通信电子学院, 南昌 330022
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10904054)和江西省自然科学基金(批准号: 2009GQW008, 2010GZW0028)资助的课题.

摘要: 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法, 研究了双轴拉应变下单层二硫化钼晶体的电子结构性质. 本文的计算结果表明对单层二硫化钼晶体施加一个很小的应变(0.5%)时, 其能带结构由直接带隙转变为间接带隙.随着应变的增加, 能带仍然保持间接带隙的特征, 且禁带宽度呈现线性下降的趋势.通过对单层二硫化钼晶体态密度和投影电荷密度的进一步分析, 揭示了单层二硫化钼晶体能带变化的原因.

English Abstract

参考文献 (18)

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