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第一性原理研究应变Si/(111)Si1-xGex能带结构

宋建军 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 宣荣喜

第一性原理研究应变Si/(111)Si1-xGex能带结构

宋建军, 张鹤鸣, 戴显英, 胡辉勇, 宣荣喜
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-11-14
  • 修回日期:  2008-01-27
  • 刊出日期:  2008-09-20

第一性原理研究应变Si/(111)Si1-xGex能带结构

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家部委项目(批准号:51308040203, 9140A08060407DZ0103)资助的课题.

摘要: 基于密度泛函理论框架的第一性原理平面波赝势方法对双轴应变Si/(111) Si1-xGex(x=0.1—0.4)的能带结构进行了研究,结果表明:导带带边六度简并没有消除;应变部分消除了价带带边的简并度;导带带边能量极值k矢位置和极值附近可由电子有效质量描述的能带形状在应变条件下几乎不变;价带极大值附近可由空穴有效质量描述的能带形状随着x有规律地变化. 此外,给出的禁带宽度与x的拟

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