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氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征及其能带结构分析

于 威 张 立 王保柱 路万兵 王利伟 傅广生

氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征及其能带结构分析

于 威, 张 立, 王保柱, 路万兵, 王利伟, 傅广生
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-05-27
  • 修回日期:  2005-12-12
  • 刊出日期:  2006-02-05

氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征及其能带结构分析

  • 1. 河北大学物理科学与技术学院,保定 071002
    基金项目: 

    河北省自然科学基金(批准号503129)资助的课题.

摘要: 对氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征和薄膜能带结构之间的关系进行了研究.所用样品采用螺 旋波等离子体化学气相沉积技术制备,利用Raman散射、红外吸收和光学吸收技术对薄膜的 微观结构、氢的键合特征以及能带结构特性进行了分析.Raman结果显示不同衬底温度下所生 长薄膜的微观结构存在显著差异,从非晶硅到纳米晶硅转化的衬底温度阈值为200℃.薄膜中 氢的键合特征与薄膜的能带结构密切相关.氢化非晶硅薄膜具有较高的氢含量,因键合氢引 起的价带化学位移和低衬底温度决定的结构无序性,使薄膜呈现较大的光学带隙和带尾宽度 .升

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