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近紫外波段NEA GaN阴极响应特性的研究

郝广辉 常本康 陈鑫龙 王晓晖 赵静 徐源 金睦淳

近紫外波段NEA GaN阴极响应特性的研究

郝广辉, 常本康, 陈鑫龙, 王晓晖, 赵静, 徐源, 金睦淳
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  • 为了深入理解近紫外波段NEA GaN阴极的光谱响应特性, 在超高真空系统中对MOCVD生长的不同发射层厚度和掺杂浓度的三个样品进行激活实验, 并在线测试样品光谱响应. 利用反射式GaN阴极量子效率公式和最小二乘法对入射光波长为0.25—0.35 μ之间的 阴极响应量子效率实验数据进行拟合, 分别得到后界面复合速率和拟合直线L的斜率, 并使用量子效率公式对入射光波长为0.35 μ时的反射式GaN阴极光谱响应量子效率进行仿真. 结果表明, 后界面复合速率和直线v的斜率都能很好地反映GaN阴极的响应性能, 当GaN阴极后界面复合速率小于105 cm/s, 发射层的厚度取0.174—0.212 μ时, 阴极光谱响应性能最好.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60871012)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-09-15
  • 修回日期:  2013-01-05
  • 刊出日期:  2013-05-05

近紫外波段NEA GaN阴极响应特性的研究

  • 1. 南京理工大学, 电子工程与光电技术学院, 南京 210094
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60871012)资助的课题.

摘要: 为了深入理解近紫外波段NEA GaN阴极的光谱响应特性, 在超高真空系统中对MOCVD生长的不同发射层厚度和掺杂浓度的三个样品进行激活实验, 并在线测试样品光谱响应. 利用反射式GaN阴极量子效率公式和最小二乘法对入射光波长为0.25—0.35 μ之间的 阴极响应量子效率实验数据进行拟合, 分别得到后界面复合速率和拟合直线L的斜率, 并使用量子效率公式对入射光波长为0.35 μ时的反射式GaN阴极光谱响应量子效率进行仿真. 结果表明, 后界面复合速率和直线v的斜率都能很好地反映GaN阴极的响应性能, 当GaN阴极后界面复合速率小于105 cm/s, 发射层的厚度取0.174—0.212 μ时, 阴极光谱响应性能最好.

English Abstract

参考文献 (18)

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