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KTP倍频器件温度适应性扩展研究

李晓明 沈学举 刘恂 王琳

KTP倍频器件温度适应性扩展研究

李晓明, 沈学举, 刘恂, 王琳
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-10-26
  • 修回日期:  2014-11-05
  • 刊出日期:  2015-05-05

KTP倍频器件温度适应性扩展研究

  • 1. 军械工程学院电子与光学工程系, 石家庄 050003;
  • 2. 中国人民解放军77108部队, 成都 611233

摘要: 针对目前最常用的KTP倍频晶体, 综合考虑其有效非线性系数和温度半宽度, 采用折中设计有效扩展KTP倍频器件适用温度范围. 对大适用温度范围的KTP倍频器件的设计方法进行了详细的理论分析, 并设计了一种温度半宽度为-20 ℃到50 ℃的KTP倍频器件. 实验结果表明该器件在15 ℃时达到峰值转换效率22.7%, 温度半宽度为70 ℃. 和通常情况下设计的KTP倍频器件相比, 尽管倍频转换效率有所下降, 但显著提高了适用温度范围. 且在温度半宽度高达70 ℃情况下, 其有效非线性系数仍大于LBO, BBO等倍频器件. 该方法对于扩展倍频器件的温度适应性具有普适性.

English Abstract

参考文献 (13)

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