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MgB2/B/MgB2约瑟夫森结的制备与直流特性

周章渝 肖寒 王松 傅兴华 闫江

MgB2/B/MgB2约瑟夫森结的制备与直流特性

周章渝, 肖寒, 王松, 傅兴华, 闫江
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  • 本文采用MgB2薄膜的混合物理化学气相沉积制备技术和金属掩膜版工艺,以B膜为势垒层在单晶Al2O3(0001)基底上制作了纵向三明治结构的MgB2/B/MgB2 约瑟夫森结. 应用标准四引线法对该超导结的R-T曲线和不同温度下的直流I-V曲线进行了测量研究. 实验结果表明,制作的MgB2/B/MgB2约瑟夫森结超导开启温度为31.3 K,4.2 K时临界电流密度为0.52 A/cm2,通过对直流特性I-V曲线的微分拟合,清晰地观测到MgB2的3D带的能隙为2.13 meV.
      通信作者: 周章渝, zzy9404@sina.com
    • 基金项目: 贵州大学博士科研启动基金(批准号:(2013)18号)资助的课题.
    [1]

    Likharev K K, Semenov V K 1991 IEEE Trans. Appl. Supercond. 1 3

    [2]

    Kameda Y, Yorozu S, Hashimoto Y, Terai H, Fujimaki A, Yoshikawa N 2005 IEEE Trans. Appl. Supercond. 15 423

    [3]

    Mukanov O A, Gupta D, Kadin A M, Semenov V K 2004 Proc. IEEE 92 1564

    [4]

    Mukhanov O A 2011 IEEE Trans. Appl. Supercond. 21 760

    [5]

    Brake H J M T, Wiegerinck G F M 2002 Cryogenics 42 705

    [6]

    Chen W, Rylyakov A V, Patel V, Lukens J E 1999 IEEE Trans. Appl. Supercond. 9 3212

    [7]

    Choi H J, Roundy D, Sun H, Louie S G 2002 Nature 418 758

    [8]

    Chen K, Zhuang C G, Li Q, Weng X, Redwing J M, Xi X X 2011 IEEE Trans. Appl. Supercond. 21 115

    [9]

    Shim H J, Yoon K S, Moodera J S, Hong J P 2007 Appl. Phys. Lett. 90 212509

    [10]

    Singh R K, Gandikota R, Kim J, Newman N, Rowell J M 2006 Appl. Phys. Lett. 89 042512

    [11]

    Kim T H, Moodera J S 2004 Appl. Phys. Lett. 85 434

    [12]

    Cybart S A, Chen K, Cui Y, Li Q, Xi X X, Dynes R C 2006 Appl. Phys. Lett. 88 012509

    [13]

    Ke Y Q, Zhou D F, Liu J, Zen M, Zhu H M, Zhang Y B 2009 Chin. J. Low Temp. Phys. 31 166 (in Chinese) [柯一青, 周迪帆, 刘珏, 曾敏, 朱红妹, 张义邴 2009 低温物理学报 31 166]

    [14]

    Xu Z 2014 M. S. Thesis (Lanzhou: University of Lan Zhou) (in Chinese) [许壮 2014 硕士学位论文 (兰州: 兰州大学)]

    [15]

    Zhou Z Y, Wang S, Yang F S, Yang J, Fu X H 2013 Chin. J. Low Temp. Phys. 35 425 (in Chinese) [周章渝, 王松, 杨发顺, 杨健, 傅兴华 2013 低温物理学报 35 425]

    [16]

    Zhou Z Y, Wang S, Yang F S, Yang J, Fu X H 2013 J. Funct. Mater. 44 893 (in Chinese) [周章渝, 王松, 杨发顺, 杨健, 傅兴华 2013 功能材料 44 893]

    [17]

    Bouquet F, Fisher R A, Phillips N E, Hinks D G, Jorgensen J D 2001 Phys. Rev. Lett. 87 180

    [18]

    Kortus J, Mazin I I, Belashchenko K D, Antropov V P, Boyer L L 2001 Phys. Rev. Lett. 86 4656

    [19]

    Zeng X H, Pogrebnyakov A V, Zhu M H, Jones J E, Xi X X 2003 Appl. Phys. Lett. 82 2097

    [20]

    Rowell J M, Xu S Y, Zeng X H, Pogrebnyakov A V, Li Q 2003 Appl. Phys. Lett. 83 102

    [21]

    Gross R, Chaudhari P, Dimos D, Gupta A, Koren G 1990 Phys. Rev. Lett. 64 228

    [22]

    Brinkman A, Golubov A A, Rogalla H, Dolgov O V, Kortus J, Kong Y, Jepsen O, Andersen O K 2002 Phys. Rev. B 65 180517

    [23]

    Kleinsasser A W, Miller R E, Mallison W H, Arnold G B 1994 Phys. Rev. Lett. 72 1738

  • [1]

    Likharev K K, Semenov V K 1991 IEEE Trans. Appl. Supercond. 1 3

    [2]

    Kameda Y, Yorozu S, Hashimoto Y, Terai H, Fujimaki A, Yoshikawa N 2005 IEEE Trans. Appl. Supercond. 15 423

    [3]

    Mukanov O A, Gupta D, Kadin A M, Semenov V K 2004 Proc. IEEE 92 1564

    [4]

    Mukhanov O A 2011 IEEE Trans. Appl. Supercond. 21 760

    [5]

    Brake H J M T, Wiegerinck G F M 2002 Cryogenics 42 705

    [6]

    Chen W, Rylyakov A V, Patel V, Lukens J E 1999 IEEE Trans. Appl. Supercond. 9 3212

    [7]

    Choi H J, Roundy D, Sun H, Louie S G 2002 Nature 418 758

    [8]

    Chen K, Zhuang C G, Li Q, Weng X, Redwing J M, Xi X X 2011 IEEE Trans. Appl. Supercond. 21 115

    [9]

    Shim H J, Yoon K S, Moodera J S, Hong J P 2007 Appl. Phys. Lett. 90 212509

    [10]

    Singh R K, Gandikota R, Kim J, Newman N, Rowell J M 2006 Appl. Phys. Lett. 89 042512

    [11]

    Kim T H, Moodera J S 2004 Appl. Phys. Lett. 85 434

    [12]

    Cybart S A, Chen K, Cui Y, Li Q, Xi X X, Dynes R C 2006 Appl. Phys. Lett. 88 012509

    [13]

    Ke Y Q, Zhou D F, Liu J, Zen M, Zhu H M, Zhang Y B 2009 Chin. J. Low Temp. Phys. 31 166 (in Chinese) [柯一青, 周迪帆, 刘珏, 曾敏, 朱红妹, 张义邴 2009 低温物理学报 31 166]

    [14]

    Xu Z 2014 M. S. Thesis (Lanzhou: University of Lan Zhou) (in Chinese) [许壮 2014 硕士学位论文 (兰州: 兰州大学)]

    [15]

    Zhou Z Y, Wang S, Yang F S, Yang J, Fu X H 2013 Chin. J. Low Temp. Phys. 35 425 (in Chinese) [周章渝, 王松, 杨发顺, 杨健, 傅兴华 2013 低温物理学报 35 425]

    [16]

    Zhou Z Y, Wang S, Yang F S, Yang J, Fu X H 2013 J. Funct. Mater. 44 893 (in Chinese) [周章渝, 王松, 杨发顺, 杨健, 傅兴华 2013 功能材料 44 893]

    [17]

    Bouquet F, Fisher R A, Phillips N E, Hinks D G, Jorgensen J D 2001 Phys. Rev. Lett. 87 180

    [18]

    Kortus J, Mazin I I, Belashchenko K D, Antropov V P, Boyer L L 2001 Phys. Rev. Lett. 86 4656

    [19]

    Zeng X H, Pogrebnyakov A V, Zhu M H, Jones J E, Xi X X 2003 Appl. Phys. Lett. 82 2097

    [20]

    Rowell J M, Xu S Y, Zeng X H, Pogrebnyakov A V, Li Q 2003 Appl. Phys. Lett. 83 102

    [21]

    Gross R, Chaudhari P, Dimos D, Gupta A, Koren G 1990 Phys. Rev. Lett. 64 228

    [22]

    Brinkman A, Golubov A A, Rogalla H, Dolgov O V, Kortus J, Kong Y, Jepsen O, Andersen O K 2002 Phys. Rev. B 65 180517

    [23]

    Kleinsasser A W, Miller R E, Mallison W H, Arnold G B 1994 Phys. Rev. Lett. 72 1738

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出版历程
  • 收稿日期:  2016-04-20
  • 修回日期:  2016-06-16
  • 刊出日期:  2016-09-05

MgB2/B/MgB2约瑟夫森结的制备与直流特性

  • 1. 贵州大学大数据与信息工程学院, 贵阳 550025;
  • 2. 贵州民族大学化学与环境科学学院, 贵阳 550025;
  • 3. 中国科学院微电子研究所, 北京 100029
  • 通信作者: 周章渝, zzy9404@sina.com
    基金项目: 

    贵州大学博士科研启动基金(批准号:(2013)18号)资助的课题.

摘要: 本文采用MgB2薄膜的混合物理化学气相沉积制备技术和金属掩膜版工艺,以B膜为势垒层在单晶Al2O3(0001)基底上制作了纵向三明治结构的MgB2/B/MgB2 约瑟夫森结. 应用标准四引线法对该超导结的R-T曲线和不同温度下的直流I-V曲线进行了测量研究. 实验结果表明,制作的MgB2/B/MgB2约瑟夫森结超导开启温度为31.3 K,4.2 K时临界电流密度为0.52 A/cm2,通过对直流特性I-V曲线的微分拟合,清晰地观测到MgB2的3D带的能隙为2.13 meV.

English Abstract

参考文献 (23)

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