搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Ⅰ型锗基笼合物Ba8Ga16-xSbxGe30的合成及热电性能

熊 聪 唐新峰 祁 琼 邓书康 张清杰

Ⅰ型锗基笼合物Ba8Ga16-xSbxGe30的合成及热电性能

熊 聪, 唐新峰, 祁 琼, 邓书康, 张清杰
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3315
  • PDF下载量:  1013
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-21
  • 修回日期:  2006-07-03
  • 刊出日期:  2006-12-20

Ⅰ型锗基笼合物Ba8Ga16-xSbxGe30的合成及热电性能

  • 1. 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070
    基金项目: 

    国家自然科学基金重大国际合作项目(批准号:50310353)和国家自然科学基金(批准号:50372049)资助的课题.

摘要: 用高温熔融结合放电等离子烧结(SPS)方法合成了Sb掺杂的单相n型Ba8Ga16-xSbxGe30化合物,探索了Sb对Ga的取代对其热电性能的影响规律.研究结果表明:随着Sb取代分数x的增加,Seebeck系数逐渐降低,Seebeck系数峰值对应的温度向低温方向偏移.电导率随着x的增加先增大后减小,当x=2时达到最大值.Sb取代Ga后对化合物的热性能有较大影响,其热导率和晶格热导率都有不同程度的降低.在所有n型Ba8Ga16-xSbxGe30化合物中,Ba8Ga14Sb2Ge30化合物的ZT值最大,在950 K左右其最大ZT值达1.1.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回