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Al2O3:V3+晶体局域结构及其自旋哈密顿参量研究

杨子元 王参军 许启明 魏 群

Al2O3:V3+晶体局域结构及其自旋哈密顿参量研究

杨子元, 王参军, 许启明, 魏 群
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-07-24
  • 修回日期:  2006-12-18
  • 刊出日期:  2007-02-05

Al2O3:V3+晶体局域结构及其自旋哈密顿参量研究

  • 1. (1)宝鸡文理学院物理系,宝鸡 721007; (2)西安建筑科技大学材料科学与工程学院,西安 710055; (3)西安建筑科技大学材料科学与工程学院,西安 710055;宝鸡文理学院物理系,宝鸡 721007
    基金项目: 

    陕西省科技计划(批准号: 2006K04-G29)、陕西省教育厅专项科研计划(批准号:05JK139)和宝鸡文理学院重点科研项目(批准号:ZK2505,ZK0620)资助的课题.

摘要: 提出了解释掺杂离子局域结构畸变的配体平面移动模型,建立了此模型下晶体微观结构与自旋哈密顿参量之间的定量关系.在考虑自旋与自旋、自旋与另一电子轨道和轨道与轨道作用等微小磁相互作用的基础上,采用全组态完全对角化方法,对Al2O3晶体中V3+的局域结构和自旋哈密顿参量进行了系统的研究.结果表明,V3+掺入Al2O3晶体后,上下配体氧平面间距离增大了0.0060 nm.从而成功地解释了Al2O3:V3+晶体的自旋哈密顿参量.在此基础上,研究了三角晶场下3d2离子自旋哈密顿参量的微观起源.研究发现,自旋三重态对自旋哈密顿参量的贡献是主要的,微小磁相互作用对自旋哈密顿参量的贡献只与自旋三重态有关.

English Abstract

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