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低能质子在半导体材料Si 和GaAs中的非电离能损研究

贺新福 罗文芸 查元梓 王传珊 唐欣欣 王朝壮 樊 胜 黄小龙

低能质子在半导体材料Si 和GaAs中的非电离能损研究

贺新福, 罗文芸, 查元梓, 王传珊, 唐欣欣, 王朝壮, 樊 胜, 黄小龙
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-01-24
  • 修回日期:  2007-06-08
  • 刊出日期:  2008-02-20

低能质子在半导体材料Si 和GaAs中的非电离能损研究

  • 1. (1)上海大学理学院,上海 200444;中国原子能科学研究院,北京 102413; (2)上海大学射线应用研究所,上海 201800; (3)上海大学射线应用研究所,上海 201800;上海大学理学院,上海 200444; (4)中国原子能科学研究院,北京 102413
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10305021)资助的课题.

摘要: 非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.由于低能时库仑相互作用占主导地位,一般采用Mott-Rutherford微分散射截面,但它没考虑核外电子库仑屏蔽的影响.为此,本文采用解析法和基于Monte-Carlo方法的SRIM程序计算了考虑库仑屏蔽效应后低能质子在半导体材料Si,GaAs中的NIEL,SRIM程序在计算过程中采用薄靶近似法, 并与其他作者的计算数据和实验数据进行了比较.结果表明:用SRIM程序计算NIEL时采用薄靶近似法处理是比较合理的,同时考虑库仑

English Abstract

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