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激发态之间的电离与复合过程对类氖锗19.6nm X射线激光增益系数的影响

乔秀梅 郑无敌 张国平

激发态之间的电离与复合过程对类氖锗19.6nm X射线激光增益系数的影响

乔秀梅, 郑无敌, 张国平
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-24
  • 修回日期:  2008-01-09
  • 刊出日期:  2008-09-20

激发态之间的电离与复合过程对类氖锗19.6nm X射线激光增益系数的影响

  • 1. 北京应用物理与计算数学研究所,北京 100088
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(863)项目(批准号:804-07-01)资助的课题.

摘要: 考察了激发态之间的电离与复合过程对等离子体状态的影响,并对其原因进行了细致的分析,分别考察了对1.0ns,100ps和5ps激光驱动的类氖锗19.6nm X射线激光增益系数的影响.研究表明,对于5ps激光驱动的瞬态机理X射线激光来讲,因增益区处在高密度区,所以,激发态之间的电离与复合过程对X射线激光将不可以忽略.对于1.0ns和100ps激光驱动的亚稳态机理X射线激光来讲,在电子密度小于等于5×1020cm-3的区域,忽略激发态之间的电离与复合使增益的时间半高全

English Abstract

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